合封MOS技术在48W电源解决方案中具有以下优势： 高效率：合封MOS芯片通过集成MOSFET和驱动电路，减少了外部元件数量，降低了导通电阻，从而提高了电源转换效率。 小体积：由于集成度高，合封MOS芯片可以减少电路板空间占用，使得电源设计更加紧凑。 易于设计：合封MOS芯片通常具有简化的外围电路设计，
高击穿电压让高压合封mos适应多种高压场景。 散热设计对高压合封mos稳定运行很关键。不同的封装形式满足了多样的应用需求。陶瓷封装提升了高压合封mos的散热与绝缘性。金属封装增强了高压合封mos的机械稳定性。高压合封mos的栅极驱动电路有特定要求。合适的驱动电压能确保高压合封mos正常工作。驱动信号的频率影响着高压...
1. 提高集成度:MOS合封技术可以将多个芯片集成在一个封装内,从而实现更高的集成度和更小的体积。这可以使电子设备更加紧凑,同时减少了芯片之间的传输距离,提高了数据传输速度。 2. 降低功耗:由于减少了芯片之间的传输距离,MOS合封技术可以降低功耗。此外,...
l MOS合封模块将N沟道与P沟道MOSFET或多N沟道、多P沟道MOSFET集成至单个封装中,现有SOP系列、PDFN系列、SOT系列、TO系列和DFN系列等封装形式,产品涵盖20V~100V电压,可满足不同应用需求。 l 相比于多个单MOS应用提升了产品应用的稳定性和可靠性以及方案的设计效率,节省了PCB应用板面积,优化了产品结构,减少了功率...
福建龙夏电子科技取得多颗MOS管对管合封的PCB板及电池管理系统专利，实现多颗MOS管对管并联封装 金融界2024年12月30日消息，国家知识产权局信息显示，福建龙夏电子科技有限公司取得一项名为“一种多颗MOS管对管合封的PCB板及电池管理系统”的专利，授权公告号CN 222216052 U，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，...
在功率器件领域,TO-252封装的MOS管因紧凑尺寸与性价比优势成为工业场景的主流选择。合科泰HKTD80N06通过单芯片工艺革新,在标准封装内实现性能突破,为新能源、工业控制等领域提供“高可靠、低阻抗、易散热”的核心器件,助力B端客户提升产品竞争力。 单芯片工艺突破:重新定义TO-252性能极限 ...
一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体专利信息由爱企查专利频道提供,一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体说明:本实用新型涉及一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体,属于电子元器件封装领域,其特征在于,包...专利查询请上爱企查
DrMOS是Driver+MOSFET的缩写,属于Intel在2004年推出的服务器主板节能技术。该技术采用三合一封装形式,即一个驱动器加上两个MOS管。这种封装方式使得DrMOS的面积仅为分离MOSFET的1/4,同时功率密度是分离MOSFET的3倍。此外,由于驱动器和管子的距离更近,寄生参数也得到了优化。这种设计有效地减少了面积并提高了性能。实...
一、MOS管封装 不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率,需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素),基本原则就是:在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下,选取参数和封装更通用的功率MOS管。 常见的MOS管封装有: ①插入式封装:TO-3P、TO-247、TO-220...
DFN封装是一种体积更小、更轻、更薄的MOS管封装,它的耐压性比较低,因此只适用于低功率、低电压、低电流的应用场合。DFN封装因其结构简单,产量大,成本也相对较低,因此得到了广泛的应用。 二、MOS管封装参数的选择 了解了...