1. 提高集成度:MOS合封技术可以将多个芯片集成在一个封装内,从而实现更高的集成度和更小的体积。这可以使电子设备更加紧凑,同时减少了芯片之间的传输距离,提高了数据传输速度。 2. 降低功耗:由于减少了芯片之间的传输距离,MOS合封技术可以降低功耗。此外,...
MOS合封模块简介l MOS合封模块将N沟道与P沟道MOSFET或多N沟道、多P沟道MOSFET集成至单个封装中,现有SOP系列、PDFN系列、SOT系列、TO系列和DFN系列等封装形式,产品涵盖20V~100V电压,可满足不同应用需求。 l 相比于多个单MOS应用提升了产品应用的稳定性和可靠性以及方案的设计效率,节省了PCB应用板面积,优化了产品...
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本公司生产销售电源管理芯片 电源管理芯片,提供电源管理芯片专业参数,电源管理芯片价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.电源管理芯片 电源管理芯片 品牌芯茂微|产地广东|价格1.00元|型号LP3799|输出功率30W|宽度7mm|批号2024|最小电源电压5v|最大电源电压12v|最大工
一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体专利信息由爱企查专利频道提供,一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体说明:本实用新型涉及一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体,属于电子元器件封装领域,其特征在于,包...专利查询请上爱企查
这是诚芯微科技推出的一款集成GaN Mos的45W氮化镓快充参考设计,这款参考设计方案由初级氮化镓合封芯片CX75GD025E,同步整流控制器CX7539F和协议芯片CX2919C组成整套高效完整解决方案,是市面上一款极具高性价比的大功率氮化镓PD全套方案。 45W集成GaN MOS全套PD方案参考设计得益于电源主控使用了合封氮化镓芯片,使得该方...
65W合封氮化镓MOS PWM管理芯片的应用 深圳中为ZWI002 是一种智能型, 单一开关反驰式拓扑架构的45W~65W;PWM控制俩封GaNMOSFET功率管理芯片. 开发团队来自国内一流博士团队携手GANSYSTEM工程师And 台湾电源芯片设计公司联合开发,内建的智慧控制大脑,在轻载条件下也能提供高功率因数的效能. MART SWITCH 技术将视负载与...
合科泰生产的这款产品是一款低压MOS管,它具有很好的电学特性,IRLML6402具有超低的导通电阻,该MOS管的开启和关闭迅速,它的稳定性和可靠性非常好。它采用P沟道制作,漏源电压-20V,栅源电压±12V,连续漏极电流-3.7A,漏源导通电阻0.065Ω,最小栅极阈值电压-0.4V,最大栅极阈值电压-1.2V,耗散功率1300mW。IRLML6402导...
摘要 本实用新型提供一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构,包括金属框架、MOS芯片、金属散热片、控制芯片、金属线、塑封料;所述金属框架设有一凹陷部;金属框架上预先制有线路,便于连接MOS芯片和控制芯片;在金属框架背面的凹陷部中倒装焊接有MOS芯片;MOS芯片与金属框架上的相应焊垫通过凸件连接;在MOS芯片的背面贴...
不同的封装形式,MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样,简单介绍如下。 1、TO-3P/247 TO247是比较常用的小外形封装,表面贴封装型之一,247是封装标准的序号。 TO-247封装与TO-3P封装都是3引脚输出的,里面的裸芯片(即电路图)是可以完全一样的,所以功能及性能基本一样,最多是散热及稳定性稍有影响 TO...