在前半部分中,我们介绍了 CoWoS 系列中的一种新架构 CoWoS-L,以解决大型interposer缺陷导致的良率损失问题。CoWoS-L 的interposer 层包括多个本地硅互连 (LSI) 芯片和全局再分布层 (RDL),形成一个重组interposer 层 (RI),以取代 CoWoS-S 中的单片硅interposer 层。LSI chiplet 继承了硅interposer 的所有诱人特...
IT之家 11 月 29 日消息，在本月召开的欧洲开放创新平台（OIP）论坛上，台积电宣布计划在 2027 年推出超大尺寸版晶圆级封装（CoWoS）技术，最高实现 9 倍光罩尺寸（reticle sizes）和 12 个 HBM4 内存堆叠。台积电每年都会推出新的工艺技术，尽最大努力满足客户对功耗、性能和面积（PPA）改进的需求。对于有更高...
台积电希望采用其先进封装方法的公司也能利用其系统集成芯片（SoIC）先进封装技术垂直堆叠其逻辑芯片，以进一步提高晶体管数量和性能。借助9个光罩尺寸的CoWoS封装技术，台积电预计客户会将1.6nm芯片放置在2nm芯片之上。
台积电的野心可不仅仅停留在CoWoS技术。他们还梦想着用系统集成芯片（SoIC）技术垂直堆叠逻辑芯片，就像搭积木一样，一层层叠加，把晶体管数量和性能堆到极致。他们的蓝图是这样的：客户可以把1.6nm芯片放在2nm芯片之上，创造出前所未有的计算怪兽！对于普通人这可能听起来像是外星科技。但对于AI和高性能计算领域的玩...
近日台积电（TSMC）在其欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，正在按计划对其超大版本的CoWoS封装技术进行认证。该技术可提供多达9个光罩尺寸（Reticle Size）的中介层，以及12个HBM4内存堆栈，将满足对性能要求最高的应用需求，使得人工智能（AI）和高性能计算（HPC）芯片设计师能够制造出手掌大小的芯片。据TomsHardware...
为了满足高性能计算(HPC)和人工智能(AI)的计算需求,人们需要一种可扩展的封装。片上基板(CoWoS)是一种先进的封装技术,具有封装尺寸更大、I/O 连接更多的优势。它允许 2.5D 和 3D 组件堆叠,实现同质和异质集成。以前的系统面临内存限制,而当代数据中心则采用高带宽
9倍光罩面积的“超级载体”CoWoS技术 台积电正以9倍光罩尺寸的“超级载体”CoWoS技术为目标，推动高端封装技术的革新。这款CoWoS封装能够为芯片和内存提供多达7,722平方毫米的封装空间，可容纳12个HBM4堆栈，预计将在2027年完成认证，并有望在2027年至2028年间成为超高端AI处理器的首选解决方案。9倍光罩CoWoS的技术...
台积电CoWoS封装A1技术介绍 封装的未来变得模糊 – 扇出、ABF、有机中介层、嵌入式桥接 – 先进封装第 4 部分 2.1D、2.3D 和 2.5D 先进封装的模糊界限。在 IMAPS 2022 上,展示了该领域的许多进步,先进封装行业的未来非常活跃。简要回顾一下,目前有四大类先进封装。
2027年将推出9倍光罩尺寸（reticle sizes）的CoWoS技术，这将使小芯片和内存的空间达到7,722平方毫米，如果是2027年通过验证，合理推断将于2027-2028年用于超高端AI处理器。通过SoIC垂直堆栈其逻辑芯片，台积电预期客户可将1.6纳米等级的晶粒置于2纳米等级的晶粒之上。目前这些超大型CoWoS封装技术仍存在很大挑战，如5.5...
在3DFabric下,CoWoS是“chip last”的工艺流程,即先做线路重布层RDL,然后将芯片嵌入预制的线路重布层RDL(连接到中间基板)上。 在台积电看来,智能产品应用的2.5D封装技术,此技术具有一个大型的硅中介层,该中介层具有次微米级的绕线层和整合电容(integratedcapacitors, iCap),因此可以在其上面放置系统单芯片(SoC)和...