在前半部分中，本文介绍了CoWoS 系列中的一种新架构CoWoS-L，以解决大型interposer缺陷导致的良率损失问题。CoWoS-L 的interposer 层包括多个本地硅互连(LSI) 芯片和全域再分布层(RDL)，形成一个重组interposer 层(RI)，以取代CoWoS-S 中的单片硅interposer 层。LSI chiplet 继承了硅interposer 的所有诱人特性，保...
目录 收起 简介 COWOS-L 电气性能和可靠性测试 新架构 CoWoS-L,以解决大型 interposer 缺陷导致的良率损失问题。 片上基板(CoWoS:Chip-on-wafer-on-substrate)是一种先进的封装技术,用于制造高性能计算(HPC)和人工智能(AI)元件。作为一种高端系统级封装(SiP)解决方案,与传统的多芯片模组(MCM)相比,它能在...
在前半部分中,本文介绍了CoWoS 系列中的一种新架构CoWoS-L,以解决大型interposer缺陷导致的良率损失问题。CoWoS-L 的interposer 层包括多个本地硅互连(LSI) 芯片和全域再分布层(RDL),形成一个重组interposer 层(RI),以取代CoWoS-S 中的单片硅interposer 层。 LSI chiplet 继承了硅interposer 的所有诱人特性,保留...
通过精心设计和优化这些条线，CoWoS封装能够在提升性能的同时，也保证能源效率和散热效果的平衡。CoWoS封装中的三类条线细分CoWoS封装技术进一步细化为S、R、L三类条线，它们分别是硅中介层（Si Interposer）、重布线层（RDL）以及局部硅互联技术（LSI）。其中，CoWoS-R采用InFO技术，并结合RDL中介层，专注于提供芯片间...
1）CoWoS-L封装 小摩指出，台积电正在加速其CoWoS技术的扩展，重点放在适应越来越大尺寸的AI芯片需求上，特别是CoWoS-L技术。CoWoS封装技术现分为三种类型：CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L，它们的主要区别在于中介层的设计，这是连接芯片的关键层。随着人工智能芯片尺寸的增加，先前使用硅中介层的CoWoS-S技术出现了良率...
台积电高效能封装整合处处长侯上勇在Semicon Taiwan 2024 专题演讲，表示视为三种CoWoS 产品，能满足所有条件的最佳解决方案，因此会从CoWoS-S 逐步转移至CoWoS-L，并称CoWoS-L 是未来蓝图要角。侯上勇指出，台积电过去的三场演讲，于2012 年发表3D-IC 模组、TSV、微凸块（micro bond）和临时载板制程；2016 年第...
新架构 CoWoS-L,以解决大型interposer缺陷导致的良率损失问题。 片上基板(CoWoS:Chip-on-wafer-on-substrate)是一种先进的封装技术,用于制造高性能计算(HPC)和人工智能(AI)元件。作为一种高端系统级封装(SiP)解决方案,与传统的多芯片模组(MCM)相比,它能在紧凑的平面图内以并排方式实现多芯片整合。要在封装中容纳...
CoWoS-L 可适用于各式各样的高效能顶级芯片。 台积电高效能封装整合处处长侯上勇在 Semicon Taiwan 2024 专题演讲,表示视为三种 CoWoS 产品,能满足所有条件的最佳解决方案,因此会从 CoWoS-S 逐步转移至 CoWoS-L,并称 CoWoS-L 是未来蓝图要角。 侯上勇指出,台积电过去的三场演讲,于 2012 年发表 3D-IC 模组、...
摩根大通提到，此前供应链对CoWoS产能的预期一度非常激进，认为台积电2025年底的月产能将达到8.5-9万片晶圆，全年产能超过80万片晶圆。而摩根大通的预期一直更为现实：2025年底月产能7.5万晶圆，全年产能72.5万片晶圆（未考虑良率损失，尤其是CoWoS-L）。供不应求：2025年CoWoS产能依旧紧张 尽管部分订单预期下调，...
为应对强劲的客户需求，台积电到2026年都会持续高速扩充先进封装产能，建厂速度也会加速，以CoWoS产能来说，从过往3至5年建一个厂，现在已缩短到2年内、1年半就要建好。将转向CoWoS-L 从技术角度来看，CoWoS已经扩展到提供三种不同的转接板技术（CoWoS中的“晶圆”）：CoWoS-S采用硅中介层，基于现有硅片光刻和再...