类型 沉积设备 型号 anelva FC7100 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营...
摘要 一种微电子和微机械技术领域的基于磁控溅射共沉积技术的Cu‐TiN纳米复合薄膜,具有纳米尺度且均匀混合的TiN添加物颗粒及Cu晶粒,TiN添加物颗粒的含量为1.0‐6.0at.%。本发明制备得到的复合薄膜的硬度为4.1‐5.1GPa,电阻率为3‐25μΩcm。在相同含量的添加物(对于Cu基合金薄膜指合金元素含量,对于Cu基复合薄膜则...
一种采用共溅射沉积法制备碲化铋合金薄膜的方法,在磁控溅射仪上实施,将高纯碲片用导电胶粘贴于高纯铋标准靶上,以此复合靶作为溅射靶材进行共同溅射;以单晶硅片作为薄膜衬底;其工艺参数为:本底真空度高于1.0×10-3Pa、工作氩气压力0.2-3Pa、靶基距4-10cm、基片台旋转每分钟5-15圈、薄膜衬底温度100-300℃、溅射...
摘要 本发明涉及一种磁控溅射共沉积铌铜、铌镍合金用于燃料电池双极板的应用,可分为以下几个步骤:1)工件脱脂清洁;2)固定与镀件夹具;2)抽真空;3)偏压等离子体清洁;4)阴极电弧结合层;5)Nb铌;6)铌铜合金层或铌镍合金层,使用导电度佳、热稳定性优,耐蚀性佳的铌金属与铜(或镍)金属以磁控溅射的方式共...
摘要 多等离子体束溅射共沉积装置,主要用于等离子体沉积多成分薄膜。本发明在靶室中设有2—4个溅射沉积微波等离子体源和一个辅助沉积微波等离子体源。每一个微波等离子体源安装在靶室的通道上。溅射沉积通道中装有圆筒式靶片,靶片通以直流或高频溅射电压,吸引微波等离子体源产生的等离子体中的正离子轰击靶片,产生溅...
JCP-450高真空三靶共溅射沉积镀膜设备 内部编号: 规格型号:JCP-450 生产厂家:北京泰科诺科技有限公司 费用:0元/小时 北京理工大学分析测试中心 所属分类:前处理及通用设备 联系人:高培峰 联系电话:134-8869-9859 咨询 我要预约 设备说明 咨询记录 可预约期限: 不限 起约时数: 1 小时 使用说明: 主要规格...
摘要 本发明公开了一种采用磁控溅射连续双面共沉积工艺制高硅钢带的工业化生产系统,该高硅硅钢薄板工业化生产系统从低硅硅钢薄板被开卷机(2)送入生产系统开始至制得高硅硅钢薄板结束止,生产流水线上设备的顺序为焊接机(3)、预热室(4)、磁控溅射室(1)、扩散室(5)、冷却室(6)、卷取机(7)。本发明的连...
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(湖南大学材料科学与工程学院,长沙410082)摘要:采用直流双靶磁控溅射聚焦共沉积技术在Fe衬底上高速率生长AlN薄膜,结果表明,双靶共沉积技术有效地提高了AlN薄膜生长速率,相同工作气压或低N2浓度时双靶磁控溅射沉积速率约为单靶沉积速率的2倍;随着溅射系统内工作气压或N2浓度的升高,薄膜生长速率不断减小;薄膜择优取向与...
摘要 本发明公开了属于梯度合金薄膜制备技术领域的一种采用多靶共沉积磁控溅射高通量技术制备梯度Nb‑Si基合金薄膜的方法。所述方法在高纯Mo基体上,采用高纯Cr靶材、Si靶材和xNb‑yB‑zTi‑kAl合金靶材三靶材共沉积磁控溅射高通量技术,制备成分梯度Nb‑Si基合金薄膜。本方法便于大批量的对不同元素比例的...