本发明公开了属于梯度合金薄膜制备技术领域的一种采用多靶共沉积磁控溅射高通量技术制备梯度NbSi基合金薄膜的方法.所述方法在高纯Mo基体上,采用高纯Cr靶材,Si靶材和xNbyBzTikAl合金靶材三靶材共沉积磁控溅射高通量技术,制备成分梯度NbSi基合金薄膜.本方法便于大批量的对不同元素比例的NbSi基合金进行性能测试,快速的选...
光刻显影:通过光刻技术在基片上形成所需的图案。 多靶共溅磁控溅射: 将显影后的基片放入多靶共溅磁控溅射腔体中,分别装上金属铬与金靶材。 在真空度小于1.0×10^-3Pa的条件下,先溅射沉积铬层厚度为5nm～200nm,再溅射沉积铬、金合金层厚度为3nm～200nm ...