专利名称 一种采用多靶共沉积磁控溅射高通量技术制备梯度Nb-Si基合金薄膜的方法 申请号 2022102215981 申请日期 2022-03-07 公布/公告号 CN114657524A 公布/公告日期 2022-06-24 发明人 姜威 专利申请人 有研工程技术研究院有限公司 专利代理人 张文宝 专利代理机构 北京众合诚成知识产权代理有限公司 专利类型 ...
本发明公开了属于梯度合金薄膜制备技术领域的一种采用多靶共沉积磁控溅射高通量技术制备梯度NbSi基合金薄膜的方法.所述方法在高纯Mo基体上,采用高纯Cr靶材,Si靶材和xNbyBzTikAl合金靶材三靶材共沉积磁控溅射高通量技术,制备成分梯度NbSi基合金薄膜.本方法便于大批量的对不同元素比例的NbSi基合金进行性能测试,快速的选...