在此,为了倡导0D/2D g-C3N4光催化剂的最新研究成果,本文将作为0D纳米颗粒在g-C3N4纳米片上偶联的最新研究进展的核心原则。首先,2D g-C3N4的基本机制将与不同类型的典型0D/2D异质结一起展示。此外,本文还将回顾0D/2D g-C3N4光催化剂的界面工程设计,包括金属/g-C3N4、金属氧化物/g-C3N4、金属硫化物/g-C3N4...
在此,为了倡导0D/2D g-C3N4光催化剂的最新研究成果,本文将作为0D纳米颗粒在g-C3N4纳米片上偶联的最新研究进展的核心原则。首先,2D g-C3N4的基本机制将与不同类型的典型0D/2D异质结一起展示。此外,本文还将回顾0D/2D g-C3N4光催化剂的界面工程设计,包括金属/g-C3N4、金属氧化物/g-C3N4、金属硫化物/g-C3N4...
光催化Langmuir-Hinshelwood模型针对块状g-C3N4(BCN)的缺点,制备出拥有更高性能的二维超薄g-C3N4 (UCN),并通过透视电子显微镜(TEM),X射线衍射(XRD),BET氮气吸附,紫外可见漫反射光谱(UV-vis DRS)与荧光光谱(PL)对UCN的形貌,结构,光学性能以及光催化活性进行表征.结果显示UCN具有二维超薄纳米片结构,且比表面积和...
一种二维多孔少层g-C3N4纳米片光催化剂的制备方法及应用专利信息由爱企查专利频道提供,一种二维多孔少层g-C3N4纳米片光催化剂的制备方法及应用说明:本发明属于环境保护材料制备技术领域,公开了一种二维多孔少层g‑C3N4纳米片光催化剂的制备方法...专利查询请上爱企查
cds光催化磁性ins第一性掺杂 内蒙古师范大学硕士学位论文中文摘要二维(2D)CdS是Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,禁带宽度约为2.58eV,但由于本征单层CdS显示为非磁性,因此极大地限制了单层CdS材料在自旋电子器件方面的应用。本文通过基于自旋极化密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,系统研究了部分非金属元素(B-F、P、Cl、Br...
要点2.g-C3N4-TiO2的高光催化性能归因于杂化诱导的缺陷产生、促进吸附氮的氢化以及氮吸附和电荷传输的改善。g-C3N4、g-C3N4纳米片和g-C3N4-TiO2的缺陷依赖性光催化活性的比较揭示了改善光催化性能的最佳缺陷含量的存在,以及杂化影响随着缺陷含量的不...
近日,中科院沈阳自动化研究所的苑明哲研究员课题组结合原位掺杂和热氧化刻蚀处理技术,制备了S掺杂的二维g-C3N4纳米片,用于酚降解和水分解制氢。原位S掺杂技术有利于在催化剂中引入表面N缺陷和O物种。相应地,2D-SCN-3h表现出很强的载流子分离效率和氧化还原性能。在模拟太阳光照射下,氢气产率可达 127.4 μmol/h。
基于以上的分析与考虑,我们选择了尿素作为前驱物,以煅烧法制备出体相g-c3n4,再经酸处理及二次煅烧,得到二维薄层g-c3n4纳米片,以cd、s离子溶液为原料,经连续离子层吸附反应法成功的制备出具有分布较为均匀的二维薄层cds/g-c3n4复合光催化材料。 技术实现要素: ...
摘要 本发明公开了一种全二维三元复合物g‑C3N4/MoS2/SnS2可见光响应光催化剂、制备方法,将水合钼酸钠:硫代乙酰胺:水合硅钨酸溶解在去离子水中,得到MoS2纳米片;将MoS2溶解在去离子水中,加入水合氯化锡和柠檬酸,得到MoS2/SnS2复合纳米片;将尿素加热粉末溶解并超声处理,块状剥离得到片状g‑C3N4;将MoS2/Sn...