g-c3n4纳米片的合成 g-c3n4纳米片的制备方法主要包括高温焙烧法、硫酸法、模板法、水热合成法、电化学沉积法等多种方法。其中,高温焙烧法和硫酸法较为常见。 (1)高温焙烧法 高温焙烧法是将含有氟离子的离子液体氨基三嗪溶液借助特殊的化学结构,在高温下加热干燥,得到大量的g-c3n4纳米片。这种方法需要对反应温度、...
g-c3n4纳米片的合成及可见光催化降解亚甲基蓝 G-C3N4纳米片的合成 G-C3N4纳米片是一种由具有高结晶度的有机聚合物构成的纳米结构材料。其合成通常采用两步法:首先是利用一种类似于模板法的策略来制备高度有序的二聚体,然后通过高温热解的方法将其转化为纳米片。 具体地说,制备高度有序的二聚体的方法是将三聚...
第三,也是最重要的一点,N掺杂和超薄多孔纳米片组成的三维结构使g-C3N4的光生电子和空穴的复合速率显著降低,从而能够有效地进行电荷分离,并将电荷快速迁移至光催化剂表面参与氧化还原反应,从而大幅提高光催化产氢活性。我们的工作为合成高产氢性能的g-C3N4基光催化材料提供了新的思路。 文献链接:Precursor-reforming pro...
▲图2.OPCN光催化合成H2O2性能:相比于块状g-C3N4(BCN),OPCN表现出显著增强的光催化合成H2O2性能以及良好的稳定性;以2,4-DCP为牺牲剂,OPCN在可见光照射2小时后原位生成的H2O2浓度可达50.1 μM,约为BCN(6.4 μM)的7.9倍。 ▲图3.基于OPCN的光催化-自芬顿体系的反应机理图:OPCN的氧掺杂和多孔纳米片结构可以增...
近日,黑龙江大学郑冰博士、李玉鑫教授和蒋保江教授等人在Science China Materials发表研究论文,制备了管状氮化碳(TCN)和ZnIn 2 S 4(ZIS)纳米片(TCN/ZIS)异质结,表现出优异的光催化产H 2 O 2性能。 本文要点: 1)所制备的TCN/ZIS异质结在3小时内H 2 O 2的生产速率为2.77 mmol g -1 h -1,分别为单独的...
通讯作者:Ping Yang,San Ping Jiang通讯单位:科廷大学 研究内容:通过两步热聚合工艺将铜(Cu)簇结合到石墨氮化碳 (g-C3N4)中,形成基于黑色g-C3N4纳米片的优质铜簇复合材料 (Cu-g-C3N4) 具有高效的电荷转移特性和增强的光催化活性。Cu-N键是通过铜原子(使用Cu(II)乙酰丙酮化物作为Cu源)通过机械化学反应插入双...
有关g-c3n4纳米片合成作者 jietan99 来源: 小木虫 1800 36 举报帖子 +关注 热氧化腐蚀法制二维g-c3n4纳米片,我用三聚氰胺550℃4小时得到的bulkg-c3n4,再在500℃下2小时,怎么得不到g-c3n4纳米片?bulk g-c3n4一点变化没有。有谁可以给我解答一下 返回小木虫查看更多...
近日,黑龙江大学郑冰博士、李玉鑫教授和蒋保江教授等人在Science China Materials发表研究论文,制备了管状氮化碳(TCN)和ZnIn 2 S 4(ZIS)纳米片(TCN/ZIS)异质结,表现出优异的光催化产H 2 O 2性能。 本文要点: 1)所制备的TCN/ZIS异质结在3小时内H 2 O 2的生产速率为2.77 mmol g -1 h -1,分别为单独的...
金属氧化物纳米结构/ P掺杂g-C3N4纳米片的功能自组装及其低/无Pt负载条件下高效稳定可见光催化制氢,利用自组装法将n-型金属氧化物均匀组装至P掺杂石墨相氮化碳(g-C3N4)纳米片表面,解决了复合材料在光催化过程中由于材料团聚和界面接触差导致的载流子复合和传输阻力大的