优选地,所述的富碳g-c3n4纳米片的制备方法,具体步骤如下:(1)一次热氧化:以能通过聚合作用生成含三嗪环结构的化合物为原料,将原料置于烧舟之中,在马弗炉里直接煅烧,随炉冷却至室温,获得g-c3n4粗粉;(2)二次热氧化:以步骤(1)中所获得的g-c3n4粗粉为原料,将原料置于烧舟中,将烧舟置于密闭管式炉中,以惰性...
本发明具有以下有益效果:本发明采用草酸结合三聚氰胺作为前驱体制备了g-C3N4,解决了单独使用三聚氰胺作为前驱体制备的g-C3N4具有较低的比表面积(一般≤10m2/g)的问题。本发明制备的g-C3N4具有高的比表面积,达23-203m2/g,孔径为2-35nm,并且呈现纳米片伴随多孔的结构,所获得光催化剂在420nm以上的可见光照射下...
一种非金属g-C3N4纳米片的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种非金属g-C3N4纳米片的制备方法说明:本发明属于纳米材料合成技术领域,利用简单的热聚合法直接一步合成非金属g‑C3N4纳米片,可用于...专利查询请上爱企查
摘要 本发明公开了一种介孔超薄g‑C3N4光催化纳米片及其制备方法,属于光催化领域。其主要特征是利用聚合羟基咪唑盐为模板剂制备介孔氮化碳,以三聚氰胺为前驱体,将其分散于含有聚合羟基咪唑盐的热水溶液中混合搅拌均匀,除去水溶剂,充分干燥后,在马弗炉中热缩聚制备g‑C3N4介孔超薄纳米片,同时脱除聚合羟基咪唑盐模板剂...
1、本发明要解决的技术问题是提供一种可以应用于可见光下木质素的降解,且降解效果良好的cds/g-c3n4纳米片复合材料及其制备方法和应用。 2、为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案: 3、一种cds/g-c3n4纳米片复合材料,该复合材料是由cds量子点负载到g-c3n4纳米片上而形成,其中cds在复合材料中所占的比例为2.0...
单分散结构的g‑C3N4纳米片尺寸在10‑50nm之间,颗粒分布均匀,无团聚现象。它是采用水蒸汽气氛条件下的二次煅烧法制备,制备条件温和,可进行宏量制备。单分散结构的g‑C3N4纳米片比表面积大、分散性好,具有更高的反应活性位点,可有效应用于光催化降解有机物和光解水制氢。
摘要 本发明公开了一种无缺陷的g‑C3N4纳米片、二维g‑C3N4纳米片膜及制备方法与应用。制备步骤如下:三聚氰胺和磷酸溶于水中,水热处理,过滤后通过多元醇和乙醇的混合物作为插入剂加热回流处理层状微棒前体;清洗干燥后在惰性气氛中加热烧结,得到无缺陷的g‑C3N4纳米片;然后再分散在溶剂中,利用简单的真...
摘要 本发明涉及一种g‑C3N4纳米薄片/氧化石墨烯复合材料及其制备方法和应用。所述复合材料,是先通过热解法合成Bulk‑g‑C3N4,然后采用超声辅助法合成g‑C3N4纳米片,最后将g‑C3N4纳米片通过超声的方法固定在氧化石墨烯的表面以获得该复合材料。将该复合材料修饰到玻碳电极表面制得新型传感器用于对乙酰氨基酚...
专利名称 一种多孔g-C3N4纳米片光催化剂及其制备方法和应用 申请号 2016108804715 申请日期 2016-10-09 公布/公告号 CN106423244B 公布/公告日期 2019-04-09 发明人 韩宇,郭强,韩晓鹏,范晓星,王继伟 专利申请人 辽宁大学 专利代理人 金春华 专利代理机构 沈阳杰克知识产权代理有限公司 专利类型 发明专利 主分类号 ...