超越硅基极限的二维晶体管问世，北京大学彭练矛院士、邱晨光研究员团队构筑了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过业界硅基10纳米节点Fin晶体管和国际半导体路线图预测的硅极限，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5V，室温弹道率提升至所有晶体管最高纪录的83%，研制出国际上迄今速度最快...
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此前，基于二维半导体的 n 型场效应晶体管，在性能提升方面取得了诸多重要进展，甚至可以媲美硅基 n 型晶体管的性能。但是，二维 p 型晶体管的性能提升相对进展迟缓。因此，他们接下来便要着手改善器件制备工艺，提升过渡金属二硫属化物/CrOClp 型晶体管性能，并设计对比实验来对掺杂机理进行深入研究。2022 年上半...
本论文回顾了近期在二维晶体管（2D FETs）领域的激动人心的实验进展，这些进展包括栅极长度微型化至亚1纳米极限、电极接触优化至量子极限、高质量介电层制造以及新型架构形式。特别是，2D InSe晶体管实现了超短通道、欧姆接触、弹道输运和超薄介电层的同时满足，其器件性能接近理论极限，与硅基晶体管相比具有竞争力甚至...
本论文回顾了近期在二维晶体管(2D FETs)领域的激动人心的实验进展,这些进展包括栅极长度微型化至亚1纳米极限、电极接触优化至量子极限、高质量介电层制造以及新型架构形式。 特别是,2D InSe晶体管实现了超短通道、欧姆接触、弹道输运和超薄介电层的同时满足,其器件性能接近理论极限,与硅基晶体管相比具有竞争力甚至更优...
二维半导体材料在提高晶体管性能方面的优势 高电子迁移率：二维半导体通常具有高电子迁移率，这意味着电子可以在材料中快速移动，从而提高晶体管的开关速度和整体性能。薄的通道：二维材料的厚度可以小于10纳米，这种超薄的通道有助于减少短通道效应（SCEs），如阈值电压（VT）卷落、漏电流和热载流子效应，从而提高晶体管...
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它的材料具备量子效应与量子限制特性，这让其在量子器件方面有潜在用处。量子场效应晶体管（QFET）属于那种依据量子调控效应的场效应晶体管。在国外的二维材料达到纳米级别时，载流子的量子表现就开始冒头了，这给达成新型量子器件带来了可能。它那材料有着高表面积以及生物相容性，这让其在生物传感器方面存在潜在运用可能...
弹道二维硒化铟晶体管，是世界上速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管，其实际性能超过英特尔商用最先进的硅基晶体管。2024年 1月11日，入选2023年中国/世界十大科技进展新闻”。简介 是世界上速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管，其实际性能超过英特尔商用最先进的硅基晶体管。发展历史 2023年4月，北京大学电子...