二维MOSFET作为一种新型的场效应晶体管,具有结构简单、速度快、功耗低等优点,成为未来半导体器件行业的研究热点之一。在实际应用中,对二维材料的研究和制备工艺的不断改进将进一步推动二维MOSFET技术的发展。 二维MOSFET的结构设计和制造工艺对其性能具有重要影响。随着二维材料领域的不断创新和发展,相信二维MOSFET将在未来的...
二维场效应晶体管是一种重要的电子器件,广泛应用于集成电路和微电子技术中。它的结构独特,由几个关键部分组成,共同实现电流的控制和放大功能。 一、二维场效应晶体管的基本结构 二维场效应晶体管主要由源极、漏极、栅极和沟道等部分组成。其中,源极和漏极是电流的输入输出端,栅极则用于控制沟...
专利摘要显示，一种晶体 管结构，其包括多个 异质结层组，每个异 质结层组产生二维电 子气(2DEG)，使得晶 体管结构具有可以用 于在源极和漏极之间 传导的 2DEG 的堆叠。 靠近最上面的 2DEG 提 供端子，以控制最上面的 2DEG 在源极触点和源极插头之间是否 连续。源极插头将最上面的 2DEG 与下一个 2...
然而由于二维半导体材料本身的物体特性,实现多于双栅的“多”栅控制还是有一定的难度,需要利用特殊的材料生长和器件制备工艺,目前比较常见的一种二维材料半导体晶体管“多”栅结构为Ω栅非平面结构。 新结构:omega-shaped gate-Non-planar gate architecture 文章中沟道材料采用转移的高质量MoS2制备,保证了制备后晶体管的...
弹道二维硒化铟晶体管结构是一种基于二维硒化铟材料制备的晶体管器件。它的结构主要由源极、漏极和栅极组成。其中,源极和漏极是用金属电极制备的,而栅极则是用二维硒化铟材料制备的。这种结构的特点是栅极与二维硒化铟材料之间没有衬底层,使得电子在栅极和二维硒化铟材料之间的传输更加顺畅,减小了电子的散射损失...
作者进一步提取了相关电子结构参数,将 2D 半导体的“本征隧穿因子” (T¯) 定义为:T¯=e−β,β=(m∥∗)12(Eg+ℏ2k⊥22m⊥∗)32。同时对比了不同二维材料的本征隧穿因子”,发现二维半导体 GeTe 和 SnTe 具有高“本征隧穿因子”和合适的Eg,也是理想的隧穿效应晶体管候选沟道材料,如图4所示。
氮化镓铝/氮化镓异质结构界面形成二维电子气,氮化镓铝/氮化镓异质结构上制作ε相氧化镓层,本申请利用ε相氧化镓层的自发极化和外加电场下的极化翻转行为和特性,对异质结构界面二维电子气浓度进行调控,可实现异质结构界面二维电子气浓度的增强或耗尽,不仅有利于提高器件的性能,而且为实现低导通电阻或增强型晶体管提供了新...
该研究通过在原子尺度上对材料和器件进行综合建模,发现二维van der Waals(vdW)MS界面以其原子级的锐度和非化学键接触可以作为CS-FET的一般成分。作为测试案例,研究了基于InSe的n型场效应晶体管。研究发现,石墨烯可以通过与InSe的界面作用,在Dirac点附近出现自发的p型掺杂和微开的带隙,导致热载流子密度随n型沟道势垒...
氮化镓铝/氮化镓异质结构界面形成二维电子气,氮化镓铝/氮化镓异质结构上制作ε相氧化镓层,本申请利用ε相氧化镓层的自发极化和外加电场下的极化翻转行为和特性,对异质结构界面二维电子气浓度进行调控,可实现异质结构界面二维电子气浓度的增强或耗尽,不仅有利于提高器件的性能,而且为实现低导通电阻或增强型晶体管提供了新...
光刻机将成为历史,麻省理工华裔研究出 2D 晶体管,轻松突破 1nm 工艺 前不久麻省理工学院(MIT)华裔研究生朱家迪突破了常温条件下由二维(2D)材料制造成功的原子晶体管,每个晶体管只有 3 个原子的厚度,堆叠起来制成的芯片工艺将轻松突破 1nm。 目前的半导体芯片都是在晶圆上通过光刻/蚀刻等工艺加工出来的三维立体...