本论文回顾了近期在二维晶体管（2D FETs）领域的激动人心的实验进展，这些进展包括栅极长度微型化至亚1纳米极限、电极接触优化至量子极限、高质量介电层制造以及新型架构形式。特别是，2D InSe晶体管实现了超短通道、欧姆接触、弹道输运和超薄介电层的同时满足，其器件性能接近理论极限，与硅基晶体管相比具有竞争力甚至...
本论文回顾了近期在二维晶体管(2D FETs)领域的激动人心的实验进展,这些进展包括栅极长度微型化至亚1纳米极限、电极接触优化至量子极限、高质量介电层制造以及新型架构形式。 特别是,2D InSe晶体管实现了超短通道、欧姆接触、弹道输运和超薄介电层的同时满足,其器件性能接近理论极限,与硅基晶体管相比具有竞争力甚至更优...
二维(2D)半导体以其原子级厚度和光滑表面,成为推动晶体管“More Moore”尺寸缩小的主要候选材料。然而,原子级薄的结构特性使得2D材料本质上仅呈现为一个表面,而2D FETs则仅仅由几个关键界面组成,例如金属/半导体界面、电介质/沟道界面...
以下是对二维材料晶体管的综述: 1.二维材料的特点:二维材料是指具有纳米厚度的材料,具有高度可调控性、巨大的比表面积和优异的电学、光学特性等特点。其中,石墨烯是最为著名的二维材料之一,它具有高载流子迁移率、优异的热导率等优势。 2.二维材料晶体管结构:二维材料晶体管一般由二维材料构成的通道区域、源极和漏...
本论文回顾了近期在二维晶体管(2D FETs)领域的激动人心的实验进展,这些进展包括栅极长度微型化至亚1纳米极限、电极接触优化至量子极限、高质量介电层制造以及新型架构形式。 特别是,2D InSe晶体管实现了超短通道、欧姆接触、弹道输运和超薄介电层的同时满足,其器件性能接近理论极限,与硅基晶体管相比具有竞争力甚至更优...
本论文回顾了近期在二维晶体管(2D FETs)领域的激动人心的实验进展,这些进展包括栅极长度微型化至亚1纳米极限、电极接触优化至量子极限、高质量介电层制造以及新型架构形式。特别是,2D InSe晶体管实现了超短通道、欧姆接触、弹道输运和超薄介电层的同时满足,其器件性能接近理论极限,与硅基晶体管相比具有竞争力甚至更优...
复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、微电子学院周鹏教授团队针对集成电路微缩瓶颈问题,聚焦评论了二维材料晶体管在先进技术节点下的工程化解决方案,并提出了最具潜力的技术路径,为未来二维材料体系实现工程化和产业化提供了借鉴和重要参考。技术综述以“Transistor engineering based on 2D materials in the post-silicon...
近日,吕劲课题组与北京邮电大学理学院雷鸣教授、北京大学深圳研究生院新材料学院潘锋教授等合作者再次受邀撰写题为“亚10 nm二维场效应晶体管:理论与实验”(Sub-10 nm two-dimensional transistors: theory and experiment)的长篇综述文章并发表于《物理报道》(Physics Reports),系统阐述了亚10 nm二维晶体管的最新实验...
图1. 电介质的基础与在晶体管中的应用 然而,当传统高κ电介质集成在二维半导体表面时,往往会出现薄膜质量差,界面缺陷密度高等问题。这些问题导致载流子在二维半导体中的传输效率远低于理论值,从而使器件性能大幅劣化。造成上述问题出现的根本原因在于,传统电介质表面具有大量悬挂键与缺陷,在与二维半导体集成时会导致载流子...
二维半导体晶体管（2DSC-FET）因其独特的电性能和应用潜力，近年来备受关注。然而，其性能受到金属-二维半导体界面处肖特基势垒（SBH）的影响，特别是当直接接触的金属电极难以实现替位掺杂时。计算SBH在理论上的挑战在于界面处的费米能级钉扎效应，导致SBH偏离肖特基-莫特规则，预测不精确。北京大学物理学院...