背散射电子和二次电子是扫描电子显微镜(SEM)中两种重要的成像信号,它们在性质、特点和应用上有着显著的区别。下面我将详细解释这两者的不同: 一、性质不同 二次电子:是指在入射电子束作用下,被轰击出来并离开样品表面的样品原子的核外电子。这些电子的能量通常较低,主要来源于样品表面1~10纳米深度范围内。 背散射...
二次电子和背散射电子是电子显微镜中两种重要的电子信号,它们在材料科学领域具有广泛的应用。总的来说,二次电子主要用于显示材料表面的微观形貌,而背散射电子则主要用于显示材料表面的元素分布情况。 首先,我们来看二次电子。二次电子主要来源于样品表面1~10nm的范围,其特点在于分辨率...
相同区域使用二次电子及背散射电子成像,效果差异显著:后者显示元素与取向信息更丰富,前者则更能突出形貌细节。 图 使用不同成像信号对燃料电池成像 由此可知,二次电子与背散射电子的形成机理及特征并非固定,与检测条件变化关系密切,应结合具体情况选择优化。但总的来说,二次电子更擅长表现形貌,背散射电子更擅长表现组成...
成像模式:背散射电子可以提供更好的深度信息,成像过程比较稳定,不容易受到表面的形貌影响,但其成像深度有一定局限性;而二次电子成像可提供更高的表面拓扑信息,但其深度分辨率相对较差。 信号强度:在相同的探测条件下,背散射电子常常比二次电子具有更高的信噪比和信号强度,这个差异在高原子序数材料中更加明显。
答:背散射电子:电子射入试样后,受到原子的弹性和非弹性散射,有一部分电子的总 散射角大于90°,重新从试样表面逸出,称为背散射电子,这个过程称为背散射。背散射 电子能量:大于 50eV。背散射电子像:扫描电镜和电子探针中应用背散射电子成像,称为 背散射电子像。特征:1)弹性背散射电子远比非弹性背散射电子所占的份...
扫描电镜中的二次电子和背散射电子是两种不同的成像信号,它们在扫描电镜中有着各自的特点和应用。 铄思百检测电镜设备 二次电子成像: 二次电子是指从样品表面逸出的电子,这些电子的能量通常低于50电子伏特,主要来源于样品表面1~10纳米深度范围内。 二次电子成像的分辨率较高,因为它对样品表面的几何形貌非常敏感,能...
1、二次电子产生:单电子激发过程中,被入射电子轰击出来并离开样品原子的核外电子。应用:样品表面成像,显微组织观察,断口形貌观察等 2、背散射电子:受到原子核弹性与非弹性散射或与核外电子发生非弹性散射后被反射回来的入射电子。应用:确定晶体的取向,晶体间夹角,晶粒度及晶界类型,重位点阵晶界分布,织构分析以及相鉴...
1、性质不同:二次电子像是以入射方向逸出样品的电子。背散射电子像是在扫描电子显微镜中,通过电子枪产生的电子,经过加速磁场、偏转磁场后,照射到待检测的样品表面,待检测样品会反射一部分的电子。 2、特点不同:在扫描电子显微镜的工作镜腔里的背散射电子探头就会检测到这些被反射的电子,进而在检测器上所成的像。二...
背散射电子像 1)用BE进行形貌分析时,其分辨率远比SE像低。 2)BE能量高,以直线轨迹逸出样品表面,对于背向检测器的样品表面,因检测器无法收集到BE而变成一片阴影,因此,其图象衬度很强,衬度太大会失去细节的层次,不利于分析。因此,BE形貌分析效果远不及SE,故一般不用BE信号。 二次电子像衬度形成原理: 成像原...
背散射电子模式作为传统的成像方式，虽然立体成像上不如二次电子，但也有它独特的优点。背散射探头一般分...