据TomsHardware报道，三星正在开发第10代V-NAND闪存，属于容量为1Tb的TLC闪存，单元堆叠层数将超过400层，将在ISSCC 2025进行展示。三星表示，新款4xx层3D TLC NAND闪存的密度为28 Gb/mm²，仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存，后者的密度为28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。其中...
先来来看看第8代V-NAND TLC,堆叠层数高达236层,比起第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高,自然也比990 EVO的133层第6代V-NAND(V6 Prime)要高得多。第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口,I/O速率达到了2.4Gbps,比上一代提升了1.2倍,这使其可满足PCIe 4.0及PCIe 5.0的要求。它的丝...
深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这...
深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高...
三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟 今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元...
快科技11月5日消息，三星推出了新款990 EVO Plus SSD 4TB版本，支持PCIe 4.0/5.0和最新的NAND闪存技术，首发1899元。新款SSD采用M.2 2280规格，重量约为9g，采用了PCIe 4.0 x4/PCIe 5.0 x2接口，支持NVMe 2.0协议，搭载了三星5nm自研控制器和第8代V-NAND TLC闪存。最大连续读写速度分为7250MB/s和...
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“我们非常高兴推出业界首款第九代V-NAND产品，它将为未来应用带来显著飞跃。为了满足不断演进的NAND...
IT之家 11 月 5 日消息，姗姗来迟的三星 990 EVO Plus 4TB 版本固态硬盘已于上周六开售，首发到手价 1899 元。这款固态硬盘整体尺寸 80.15 x 22.15 x 2.38mm，为 M.2 2280 规格，重约 9g，搭载了三星 5nm 自研控制器和第 8 代 V-NAND TLC 闪存。这款产品支持 NVMe 2.0 协议，采用 PCle4.0 ...
IT之家 9 月 12 日消息，三星电子今日宣布，三星首款 1 太比特四层单元（QLC）第九代 V-NAND 已正式开始量产，而 1Tb TLC 产品已于今年 4 月开始量产。据介绍，三星 QLC 第九代 V-NAND 实现了多项技术突破，IT之家汇总如下：通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching），能够基于双堆栈架构实现当前业内最高...
从参数上看,这款固态硬盘采用PCIe 4.0 x4或5.0 x2标准、M.2 2280外形,基于V-NAND TLC闪存,顺序读写速度可达5000/4200MB/s,随机读写速度可达700k / 800k IOPS,并支持AES-256位加密。 值得一提的是,尽管Pro型号配备了DDR4 RAM缓存,但Evo型号似乎并未配备缓存。不过这两款SSD定位有差距:例如Pro版本还使用了...