12月4日消息，据Tom's hardware报道，三星将在即将举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示新的超过400层3D NAND Flash，接口速度为5.6 GT/s。报道称，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元 3 位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128 GB）。三星声称其新的超400层 3D TLC NAND Flash的存储密度为...
深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。"我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND，这将有机会推动未来应用的飞跃发展。"三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。"为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求，三星在这...
深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高...
据TomsHardware报道，三星正在开发第10代V-NAND闪存，属于容量为1Tb的TLC闪存，单元堆叠层数将超过400层，将在ISSCC 2025进行展示。三星表示，新款4xx层3D TLC NAND闪存的密度为28 Gb/mm²，仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存，后者的密度为28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。其中...
从参数上看,这款固态硬盘采用PCIe 4.0 x4或5.0 x2标准、M.2 2280外形,基于V-NAND TLC闪存,顺序读写速度可达5000/4200MB/s,随机读写速度可达700k / 800k IOPS,并支持AES-256位加密。 值得一提的是,尽管Pro型号配备了DDR4 RAM缓存,但Evo型号似乎并未配备缓存。不过这两款SSD定位有差距:例如Pro版本还使用了...
三星首批面向AI时代的QLC第九代V-NAND启动量产 三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，为各种AI应用提供优质内存解决方案 深圳 2024年9月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四层单元...
快科技11月5日消息，三星推出了新款990 EVO Plus SSD 4TB版本，支持PCIe 4.0/5.0和最新的NAND闪存技术，首发1899元。新款SSD采用M.2 2280规格，重量约为9g，采用了PCIe 4.0 x4/PCIe 5.0 x2接口，支持NVMe 2.0协议，搭载了三星5nm自研控制器和第8代V-NAND TLC闪存。最大连续读写速度分为7250MB/s和...
先来来看看第8代V-NAND TLC,堆叠层数高达236层,比起第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高,自然也比990 EVO的133层第6代V-NAND(V6 Prime)要高得多。第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口,I/O速率达到了2.4Gbps,比上一代提升了1.2倍,这使其可满足PCIe 4.0及PCIe 5.0的要求。它的丝...
据悉,三星的这一新一代V-NAND保持了TLC(三级单元,或每个单元3位)架构,每个芯片的容量为1Tb(128GB)。三星声称,新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²,略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²。此外,三星第10代V-NAND的接口速度达到5.6 GT/s。三星计划在ISSCC 10上推出第10代V...
IT之家 11 月 5 日消息，姗姗来迟的三星 990 EVO Plus 4TB 版本固态硬盘已于上周六开售，首发到手价 1899 元。这款固态硬盘整体尺寸 80.15 x 22.15 x 2.38mm，为 M.2 2280 规格，重约 9g，搭载了三星 5nm 自研控制器和第 8 代 V-NAND TLC 闪存。这款产品支持 NVMe 2.0 协议，采用 PCle4.0 ...