它们是一种无外加元素、不可分割的最小元素集。 饱和集在计算机科学中會得到广泛的应用。例如,它们可以用来表示一个图的节点集。除此之外,它们还可以用来表示一个系统中允许的行为,它们也可以用来解决最大化或最小化问题,如求最大权重路径等。此外,饱和集也可以用来表示一种计算机语言的语法规则。
正因为原来集电结反偏，所以集电区收集电子，Ic随Ib线性增大；但是到了饱和区，集电区由于正偏就不能收集电子了（也就是你说的“阻碍电子向集电极运动 ”），所以Ic不能再随Ib增大了，我们说Ic饱和了。这时候的Ic比β*Ib要小，但并不意味着这时候的Ic比放大区的Ic小。饱和区的Ic很大，Uce很小。
摘要: 本文在一般拓扑空间(X,τ)的非标准扩张(*^X,*^τ)中引入S-饱和集的概念.在一定条件下,St映射对于S-饱和集保持集的基本运算.基于这一事实,证明了标准Souslin集与Loeb可测集的关系定理,得到*^μL-零集在St映射下是μ-零集的一个充分条件....
设关系模式为R(U,F),若XF+=X,则称X相对于F是饱和的。定义饱和集?F={X|X=XF+},试证明?F={XF+|X?U}。相关知识点: 试题来源: 解析 证:1)证?F?{XF+|X?U}对任意A∈?F,由已知条件得A=AF+,因为A?U,A=AF+所以A∈{XF+|X?U}。2)证{XF+|X?U}??F对任意A∈{AF+|A?U},因为(...
而虽然不可否认Jo饱是脱责隐身的渣男 但那一集眼睛看不清都要摸盲来公司会议室揭穿于克强和殷红 真...
NPN晶体管,饱和状态的条件是，发射结正向偏置，集电结也正向偏置。截止状态的条件是，发射结反向偏置，集电结也反向偏置。饱和。Uce小等于Ube,电源电压很低,Ib对Ic没有控制作用,饱和向放大过度必需提升电源电压至超过三极管的饱和压降Uces。(饱和分临界饱和、深度饱和,临界即Uce=Ube,此时C、B点电位相等,...
饱和,只是说明Ic已经达到最大值了,并没有反向的意思. 放大,Ic是随着Ib变化的;饱和了,就是Ic变化到了它的极限了. --- 从放大,到饱和,集电结是从反偏,过渡到了正偏; 这就导致,Ib失去了对Ic的控制能力,但是并不改变Ic的流动方向. 分析总结。 饱和时不是集电结合发射结都正偏么就拿npn来说集电极电流...
在三极管饱和状态下，集电极对发射极的电压仍为正值，电流方向自然不会反转。饱和状态下的集电结正偏数值，总是小于发射结正偏电压，因此达不到PN结的死区电压，因此即使基极电压略高于集电极电压，也不能产生电流。因此，原有电流继续维持，“正偏电流”并未产生，集电极电流总方向不会改变。
2) Unsaturated sets 非饱和集3) the line-set saturation 边集饱和度4) saturated lightweight aggregates 饱和轻集料5) unsaturated amassing 不饱和收集 1. This article introduces the curve fitting method which allowed ionization chamber detector working with unsaturated amassing current under high ...