光耦集射极饱和电压指的是光耦输出端集电极与射极之间的电压达到饱和状态时的电压值。这个电压值是光耦的重要参数之一,因为它决定了光耦在工作时的电压范围和电流增益。一般来说,光耦的射极饱和电压越低,其开关速度和灵敏度就越高,而其噪声和失真程度就越小。因此,设计和选择光耦时需要特别注意其射极饱和电压的特性...
1.1 以下诸法规定在条件下测试,以决定晶体管的集极射极饱和电压,VCE(SAT)。1.2 直流法应用于低电流测试,该电流低到可以忽视其在接面产生的热量。1.3 脉波法应用于高电流测试。若不用脉波则可能在接面处产生严重的热重。1.4 如果电压测量仪器有适当的使用范围及输入阻抗 ...
集电极—射极饱和电压: 200 mV 最大直流电集电极电流: 100 mA Pd-功率耗散: 250 mW 增益带宽产品fT: 100 MHz 最小工作温度: - 65 C 最大工作温度: + 150 C 高度: 1 mm 长度: 3 mm 宽度: 933589550215 零件号别名: 8 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可...
GOST 18604.22-1978在国际标准分类中归属于: 31.080.30 三极管。GOST 18604.22-1978 双极型晶体管.集射和基射饱和电压测量方法的最新版本是哪一版?最新版本是 GOST 18604.22-1978 。GOST 18604.22-1978 发布之时,引用了标准GOST 18604.0-1983 双极晶体管.电参数测量的一般要求*, 1983-09-02 更新* 在GOST 18604.22...
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萨科微SL40T120FL型号的产品,功率(Pd)可达417W、集射极击穿电压(Vces)为1.2kV、集电极电流(Ic)为40A,集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)为1.8V,具有高性能、高可靠性与低成本的特点,有很强的市场竞争力!IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是由MOSFET(...
饱和,放大,放大,截止,截止,放大,饱和,截止;当基极电流较大时,集-射极电压接近0,集电极电流达到最大值,此时三极管处于___状态;当基极电流小于等于0时,集电极电流为零,集-射极间电压UCE=UCC,此时三极管处在___状态。()
百度试题 题目硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压UCE=0.3V,则此时三极管工作于( ) 状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定 相关知识点: 试题来源: 解析 A.饱和 反馈 收藏
硅 三极管电路中,静态时测得集 - 射极之间直流电压 U CE =0.3V ,则此时三极管工作于( ) 状态。A.放大B.饱和C.截止D.无法判断
百度试题 题目晶体管工作 在 饱和区发射结处于正向偏置,集电结也处于正偏。晶体管集 - 射极的电压很小。 ( ) A. 错误 B. 正确 相关知识点: 试题来源: 解析 B.正确 反馈 收藏