晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)价格 ¥ 0.10 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 IRLML2402TRPBF 场效应管 INFINEON/英飞凌 批次22+ ¥ 0.88 ADI 集成电路、处理器、微控...
萨科微SL40T120FL型号的产品,功率(Pd)可达417W、集射极击穿电压(Vces)为1.2kV、集电极电流(Ic)为40A,集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)为1.8V,具有高性能、高可靠性与低成本的特点,有很强的市场竞争力!IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是由MOSFET(...