晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):250mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)价格 ¥ 0.10 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 IRLML2402TRPBF 场效应管 INFINEON/英飞凌 批次22+ ¥ 0.88 ADI 集成电路、处理器、微...
低Vce(sat) 0.35V(max)@Ic/Ib= 500mA / 50mA 高集电极电流能力 出色的直流电流增益特性 无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准 绿色环保塑封,符合IEC61249标准 互补PNP型号:PBHV9110DW 机械数据: 外壳:SOT-223 封装 端子:可焊性符合MIL-STD-750,方法2026 重量约为:0.043盎司,0.123克 标记:8110DW 最大额定值及温度特性...
集电极最大耗散功率PCM=0.4W(Tamb=25℃)集电极最大允许电流ICM=0.1A集电极基极击穿电压BVCBO=50V集电极发射极击穿电压BVCEO=45V发射极基极击穿电压BVEBO=5V集电极发射极饱和压降VCE(sat)=0.3V (IC=100mA; IB=5mA)... 分析总结。 集电极最大耗散功率pcm04wtamb25集电极最大允许电流icm01a集电极基极击穿电压bvcbo50v...
( IC = -30 MADC , VCE = -10VDC ) 集电极 - 发射极饱和电压 ( IC = -20 MADC , IB = -2.0mAdc ) 基射极饱和电压 ( IC = -20 MADC , IB = -2.0 MADC ) 电流增益带宽积 ( IC = -10 MADC , VCE = -20Vdc , F = 100MHz时) HFE(1) HFE(2) HFE(3) VCE ( SAT ) VBE ( SAT...
集电极电流, IC - 一个 --3.5 --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 --1.0 --0.5 0 0 --0.4 --0.8 --1.2 --50mA --20mA --10mA --5mA 20mA 10mA 5mA 1.0 0.5 IB=0 --1.6 --2.0 ITR08907 0 0 0.4 0.8 1.2 IB=0 1.6 2.0 ITR08908 集电极 - 发射极电压VCE - V --2.0 --1.8 --1.6 IC...