传统的电磁干扰抑制方法是使用大栅极电阻(RG)降低电流流经器件的速度(dI/dt)。但是大RG会显著增加开关损耗,要在效率和电磁干扰之间进行权衡取舍。 另一种抑制电磁干扰的方法是降低功率回路杂散电感。要实现这一目的,需要更改电路板的布局,还需要使用体积较小、电感较低的封装。然而,尽量降低功率回路的效果是有限的,...
降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法 在功率半导体器件中,MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换,特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域,MOSFET没有竞 争对手,但随着MOS的耐压提高,导通电阻随之以 2022-03-17 09:35:33 MOSFET的高速trrSJ-MOSFET:PrestoMOS ...
SiC-MOSFET 评估板P02SCT3040KR-EVK-001适用于ROHM的1,200V/20A、500kHz SiC MOSFET的评估内置绝缘栅极驱动IC (BM6101FV-C),简单即可进行TO-247 3pin与4pin封装的特性比较!采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常...
零电压开通主要通过辅助电路将Cds+Cgd上的电荷实现转移走,从而消除开通损耗和"漏极电荷损耗。 LLC谐振∶ LLC谐振软开关是传统软开关的最佳实践,通过几个开关之间的协作,以及增加辅助电感和电容,达到MOS的零电压开关,从而基本消除了了开关损耗和漏极电荷损耗。 但是不可避免的,为实现零电压关断需要在漏源之间并联很大...
一般来说,控制MOS管导通时间可以通过增加调制频率、调整开关电源输出电压等方法来实现。 二、采用节能元件 采用节能元件也是降低开关电源功率的一个有效方法。 1.采用高效率二极管 二极管是开关电源的另一个重要组件,其反向漏电流会导致电源功率的损失。采用高效率的二极管能够有效地降低电源功率的损失...
增加掺杂会带来两种不良的副作用,会导致开关电流(Ion/Ioff)比急剧降低,该比值对于好的开关应被最大化。通过实现低亚门限摆幅(S),静电的开关比可(图3)以最大化。一个简单的一维MOS电容器的S描述忽略了由[1]给出的源/漏的电荷分配的影响: S = 1/(亚门限斜率) = 2.3 kT/q (1 + Cdm/Cox) 2.3 kTq ...
华源HY903同步整流控制器通过将传统肖特基二极管替换成MOS管,由专用的控制器驱动MOS管,根据次级MOS管的体二极管导通压降控制其导通和关闭,能够将传统肖特基二极管接近1V的压降降低到只有几十mV,有效降低次级整流的损耗,从而降低整流元件的损耗和温升。 HY903同步整流控制器支持低侧同步整流,无需辅助线圈,支持DCM,QR,CCM...
功耗:功率的损耗。指设备,器件等输入功率和输出功率的差额。 功耗一般分为两种,来自开关的动态功耗(电容充放电),和来自漏电的静态功耗。 1、使用MOS管门电路,尽量少使用TTL门电路。 2、给电路设置休眠,待机状态,能够进入省电模式。 3、将电路设计最简化。模块分布合理,减少布线。
充电头网了解到,氮化镓器件已经深入到快充行业,高开关频率、更低的导阻和开关损耗,以及耐高温等优异性能特性使得氮化镓器件在高功率快充等领域中表现更为突出。目前,包括大疆、戴尔、小米等海内外知名品牌的多口快充、电源适配器已经开始采用氮化镓开关管替代硅MOS,有效提升整机效率。