新一代阻挡层材料,包括如铂族金属基材料(PGM)、二维材料、自组装单分子层(Self-Assembled Molecular Layers,SAM)和高熵合金(High-Entropy Alloy, HEA)等有望在不远的将来得到技术应用。
在14nm以下的技术节点中，传统PVD工艺下的Ta/TaN衬垫/阻挡层逐渐显得力不从心。这主要是由于以下几个方面的挑战：首先，随着线宽的持续缩小，体电阻率较高的Ta/TaN层在布线横截面中的占比逐渐增大，进而导致线电阻率的上升；其次，为了在14nm及以下技术节点中保持铜的体积分数约为83%，Ta/TaN衬垫/阻挡层必须被...
氚阻挡层是指在材料表面阻挡氚渗透的物质层。简介 氚阻挡层是指在材料表面阻挡氚渗透的物质层。形成 氚阻挡层可在300-450℃的氚渗透过程中形成，也可在含氢的惰性气氛或空气中在高于300℃的退火过程中形成将硼玻璃在300℃的空气中退火处理，在玻璃表层生成OH-离子防氚阻挡层，堵塞了氚的扩散通道，使氚的渗透率...
阻挡层在金属互连中扮演着至关重要的角色，它不仅增强了机械完整性，还提高了电气可靠性，有效防止了金属扩散，并与周围介质层提供了牢固的附着。例如，铜在低温环境下会在硅和二氧化硅中迅速扩散，严重影响器件性能。而高质量的阻挡层材料通常具有高熔点，因为熔点与扩散性密切相关。因此，高熔点金属如Cr、Ti、Nb、Mo...
本文系统解析半导体阻挡层薄膜材料的核心功能,对比主流材料特性,探讨其在先进工艺中的应用挑战与未来趋势。 一、阻挡层薄膜的三大核心功能 扩散阻挡 抑制金属离子向半导体扩散(如Cu/Si接触需TaN阻挡层); 典型要求:Cu扩散系数<1×10⁻¹⁸cm²/s(85℃条件下)。
一、SiO2阻挡层的原理 SiO2阻挡层是一种用于集成电路制造中的薄膜材料,其主要作用是防止杂质扩散进入晶体管中,从而提高器件的性能和可靠性。SiO2阻挡层的厚度通常在80至120nm之间,也可能达到20.0~30.0纳米。在制造过程中,SiO2阻挡层被用于覆盖晶体管的...
本发明的第二方面提供了一种芯片的阻挡层的制备方法,所述制备方法包括:采用溅射工艺制备TiW薄膜,制备时采用TiW合金作为靶材并加载直流功率,采用Ar气作为溅射气体;采用溅射工艺制备TiWN薄膜,制备时采用TiW合金作为靶材并加载直流功率,采用Ar气和氮气作为溅射气体;其中,制备TiW薄膜的步骤和制备TiWN薄膜的步骤交替进行。
集成电路中的阻挡层是一层薄膜,用于防止掺杂剂在半导体制造过程中的扩散。阻挡层的选择至关重要,因为它可以影响器件的性能和可靠性。以下是关于集成电路阻挡层的一些详细信息: 1. 阻挡层的功能 ·防止掺杂剂扩散:阻挡层可以防止掺杂剂从半导体的一个区域扩散到另一个区域,从而保持器件的电学特性。
半导体阻挡层是半导体器件中的一种层,主要用于隔离不同的功能区域,防止不希望发生的电荷传输和串扰。阻挡层通常由宽禁带半导体材料制成,如氧化物、氮化物等。在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中,栅极与源极和漏极之间的氧化硅层就起到了阻挡层的作用。此外,在太...