新一代阻挡层材料,包括如铂族金属基材料(PGM)、二维材料、自组装单分子层(Self-Assembled Molecular Layers,SAM)和高熵合金(High-Entropy Alloy, HEA)等有望在不远的将来得到技术应用。
在14nm以下的技术节点中，传统PVD工艺下的Ta/TaN衬垫/阻挡层逐渐显得力不从心。这主要是由于以下几个方面的挑战：首先，随着线宽的持续缩小，体电阻率较高的Ta/TaN层在布线横截面中的占比逐渐增大，进而导致线电阻率的上升；其次，为了在14nm及以下技术节点中保持铜的体积分数约为83%，Ta/TaN衬垫/阻挡层必须被...
为了阻止这种扩散,必须在铜与介质之间沉积一层纳米级阻挡层。氮化钽(TaN)因其高致密性、抗扩散能力和导电性,成为主流选择。然而,随着制程进入28 nm以下节点,阻挡层的均匀性和覆盖性面临巨大挑战。 物理气相沉积(PVD)技术: 在22 nm和14 nm节点,PVD仍是阻挡层沉积的核心技术,其优势与创新如下: 离子化金属等离子体...
近日，哈工大材料学院隋解和教授团队在低品质余热回收热电发电领域取得突破性进展。相关成果以《基于低杨氏模量和颗粒滑动的阻挡层提高碲化铋热电发电性能》（Performance Boost for Bismuth Telluride Thermoelectric Generator via Barrier Layer Based on Low Young’s Modulus and Particle Sliding）为题发表在《自然通讯》...
一、SiO2阻挡层的原理 SiO2阻挡层是一种用于集成电路制造中的薄膜材料,其主要作用是防止杂质扩散进入晶体管中,从而提高器件的性能和可靠性。SiO2阻挡层的厚度通常在80至120nm之间,也可能达到20.0~30.0纳米。在制造过程中,SiO2阻挡层被用于覆盖晶体管的...
阻挡层在集成电路中扮演着重要的保护层角色。如果没有阻挡层的保护,导电层材料会渗透至器件表面与硅形成合金,导致器件的稳定性和性能下降;同时,导电层与下层金属形成高阻化合物,也会导致电阻升高,电流传输效率下降。因此,阻挡层的存在对于集成电路的正常运行至关重要。 总之,阻挡层...
此外,铜在有机或无机介质层中都会造成缺陷,并会引起两方面问题。一方面,当铜在氧化层中出现时会导致阈值电压漂移,另一方面,当铜在互连线间介质层中出现时会引起寄生漏电流。综上所述,铜互连工艺中需要使用合适的阻挡层材料抑制铜的扩散。
集成电路中的阻挡层是一层薄膜,用于防止掺杂剂在半导体制造过程中的扩散。阻挡层的选择至关重要,因为它可以影响器件的性能和可靠性。以下是关于集成电路阻挡层的一些详细信息: 1. 阻挡层的功能 ·防止掺杂剂扩散:阻挡层可以防止掺杂剂从半导体的一个区域扩散到另一个区域,从而保持器件的电学特性。
本发明的第二方面提供了一种芯片的阻挡层的制备方法,所述制备方法包括:采用溅射工艺制备TiW薄膜,制备时采用TiW合金作为靶材并加载直流功率,采用Ar气作为溅射气体;采用溅射工艺制备TiWN薄膜,制备时采用TiW合金作为靶材并加载直流功率,采用Ar气和氮气作为溅射气体;其中,制备TiW薄膜的步骤和制备TiWN薄膜的步骤交替进行。
半导体阻挡层是半导体器件中的一种层,主要用于隔离不同的功能区域,防止不希望发生的电荷传输和串扰。阻挡层通常由宽禁带半导体材料制成,如氧化物、氮化物等。在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中,栅极与源极和漏极之间的氧化硅层就起到了阻挡层的作用。此外,在太...