间接复合指的就是非平衡载流子通过复合中心的复合。 复合中心 促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。对应的能级称为复合中心能级(Et)。 间接复合的过程 复合中心能级其实就像一个台阶,电子—空穴可以借助这个台阶更加方便地进行复合。 ① 俘获电子过程。复合中心能级Et从导带俘获电子。 ② 发射电子过程。复合中心能级E...
直接复合:载流子直接通过带间跃迁复合;间接复合:载流子通过禁带中的杂质或缺陷能级分步复合。 1. **直接复合**: 电子从导带直接跃迁到价带与空穴复合,释放能量(如光子或热能)。典型发生在**直接带隙半导体**(如GaAs)中,复合速率快,常见于发光器件。2. **间接复合**: 电子和空穴的复合通过**杂质/缺陷形成的...
1、直接复合 2、间接复合 3、表面复合 4、俄歇复合 六、陷阱效应 摘要:先前内容讨论的主要是热平衡状态下的情况,此时的载流子称为平衡载流子,在一定温度下,载流子的浓度是一定的。但是,半导体的热平衡状态的相对的,且有条件的。如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件,这就使得其处于与热平衡状态相偏离的状态...
②间接复合——指主要通过复合中心的复合,在间接复合中,电子跃迁到复合中心的能级,然后在跃迁到价带的空状态使电子和空穴成对消失。复合中心是指晶体中的一些杂质和缺陷。 载流子复合时,要释放出多余的能量。以发出光子的形式放出能量为辐射复合,将能量给予其他载流子为俄歇(Auger)复合,又叫非辐射复合。 表面复合--...
直接复合的发生条件相对简单,只要电子和空穴在空间中相遇且能量匹配,即可发生直接复合。然而,在实际半导体材料中,由于能带结构、杂质和缺陷等因素的影响,电子和空穴的相遇概率并不高,因此直接复合的发生频率相对较低。 相比之下,间接复合的发生条件更为复杂。它需要电子在跃...
当半导体材料中存在一定的晶格缺陷、表面缺陷、杂质或氧化时,其间接复合就会受到影响。这些缺陷会影响载流子的有效自由程,导致复合率的增加,从而降低载流子寿命和器件性能。下面是几个常见缺陷对间接复合过程的影响: 1.晶格缺陷:晶格缺陷和阱中被卡住的载流子会降低能带谷的有效生命期,降低材料的光电转换效...
5.4.2间接复合(最后部分) 非平衡载流子的进一步推导 将强n 型区和强 p 型区的非平衡载流子寿命表达式:,τ=1Ntrp,τ=1Ntrn,代回U=Ntrnrp(np−ni2)rn(n+n1)+rp(p+p1) 并利用,n1=niexp(Et−Eik0T),p1=niexp(Ei−EFk0T) 假定r=rp=rn(一般的复合中心可以这样假设),最终得到:U=Ntr(np−...
百度试题 结果1 题目直接复合与间接复合的物理意义?相关知识点: 试题来源: 解析 答:直接复合:电子和空穴的复合由电子在导带和价带之间的直接跃迁引起的。 间接复合:电子和空穴通过禁带的能级(施主能级和受主能级即复合中心)复合。反馈 收藏
半导体内的杂质和缺陷能够促进复合,称这些促进复合的杂质和缺陷为复合中心; 间接复合:非平衡载流子通过复合中心的复合; 四个微观过程:俘获电子,发射电子,俘获空穴,发射空穴; 俘获电子:和导带电子浓度和空穴复合中心浓度有关。 发射电子:和复合中心能级上的电子浓度。 俘获空穴:和复合中心能级上的电子浓度和价带空穴浓度...