间接复合指的就是非平衡载流子通过复合中心的复合。 复合中心 促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。对应的能级称为复合中心能级(Et)。 间接复合的过程 复合中心能级其实就像一个台阶,电子—空穴可以借助这个台阶更加方便地进行复合。 ① 俘获电子过程。复合中心能级 Et 从导带俘获电子。 ② 发射电子过程。复合中心能...
直接复合能带图:导带底与价带顶在同一k位置(垂直跃迁)。间接复合能带图:导带底与价带顶位于不同k位置(非垂直跃迁,需声子参与)。间接复合四个过程:1. 导带电子被缺陷能级俘获。2. 价带空穴被缺陷能级俘获。3. 电子从缺陷能级激发回导带。4. 空穴从缺陷能级激发回价带。 1. **直接复合**:电子从导带底直接跃迁...
②间接复合——指主要通过复合中心的复合,在间接复合中,电子跃迁到复合中心的能级,然后在跃迁到价带的空状态使电子和空穴成对消失。复合中心是指晶体中的一些杂质和缺陷。 载流子复合时,要释放出多余的能量。以发出光子的形式放出能量为辐射复合,将能量给予其他载流子为俄歇(Auger)复合,又叫非辐射复合。 表面复合--...
相比之下,间接复合的发生条件更为复杂。它需要电子在跃迁过程中借助声子等中间媒介来完成与空穴的复合。虽然这增加了复合的难度,但在许多实际应用的半导体材料中,如硅和锗,其能带结构导致间接复合的发生概率远高于直接复合。 三、直接复合与间接复合在实际应用中的比较 在...
其中,直接复合是指原料直接混合,然后在复合中心内发生反应生成新产品;间接复合是指原料在复合中心外部进行处理后,再将反应后的产物带入复合中心进行后续反应。 二、间接复合的复合过程 在间接复合中,复合中心通常是指在一个特别的条件下,原材料的相互作用会发生变化的区域...
5.4.2间接复合(最后部分) 非平衡载流子的进一步推导 将强n 型区和强 p 型区的非平衡载流子寿命表达式:,τ=1Ntrp,τ=1Ntrn,代回 U=Ntrnrp(np−ni2)rn(n+n1)+rp(p+p1) 并利用 ,n1=niexp(Et−Eik0T),p1=niexp(Ei−EFk0T) 假定r=rp=rn (一般的复合中心可以这样假设),最终得到:U=Ntr(np...
1. 直接复合机制:在直接带隙半导体中,导带底(CBM)和价带顶(VBM)在k空间处于同一位置。电子从导带直接跃迁至价带,无需动量补偿,释放光子。能带图表征为垂直箭头(Δk=0)。2. 间接复合机制:在间接带隙半导体中,CBM和VBM的k值不同。电子需通过缺陷中心(如施主/受主能级)分步跃迁:先到缺陷能级(释放声子),再到价...
相比之下,间接复合是指载流子首先跃迁到一个中间能级(如杂质能级或缺陷能级),然后再从该中间能级跃迁到另一个能级(通常是价带或导带)。间接复合需要两个步骤来完成,因此称为间接复合。这种复合过程通常在半导体中的热平衡状态下更常见,但在某些情况下,也可以发生在非平衡态半导体中。 在半导体器件中,直接复合和间接...
间接复合,作为半导体材料中一个重要的物理过程,主要发生在间接带隙半导体中。这类半导体材料的特性在于其导带较低点和价带最高点在动量空间中并不重合,导致电子和空穴在复合时需要借助声子的帮助。 在间接带隙半导体中,硅和锗是两种典型的代表。这些材料在电子和空穴复合时,由于动量不匹配,不能直...
因此,砷化镓的复合机制主要是直接复合。 然而,这并不意味着砷化镓完全不能进行间接复合。在某些特定条件下,例如存在缺陷或杂质时,电子和空穴可能通过间接复合的方式进行。但这种情况下的间接复合概率通常较低,不是主要的复合机制。 综上所述,砷化镓的复合机制主要是直接复合...