一、作为名词的“闩锁” 闭锁卡铁:在某些专业语境中,“闩锁”被解释为闭锁卡铁,这是指用于锁定或固定某个部件的机械装置。 门闩、插销:在日常生活和古代建筑中,“闩”常指门板背面两个栓孔中穿过的门栓,即门闩。而“闩锁”则可以理解为一种具有门闩功能的锁具,用于关闭和锁定门户。 二、作为物理现象的“闩锁” 在电子学和半导
闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率,闩锁失效,今天我们就来聊一聊什么是闩锁效应~ 关于IGBT的构造我们这里不再赘述,集MOS和BJT于一身的“男人”。一般我们认为...
闩锁效应是指在某些系统中,由于特定条件的存在,使得系统进入一种“锁住”的状态,无法继续正常运行或产生所期望的结果。这种效应可能会导致系统停滞、失灵或陷入不可逆的状态。 1.闩锁效应的定义 闩锁效应是指在系统中出现的一种异常状态,其中多个因素相互作用,导致系统处于停滞或无法正常运行的状态。这种效应可能是暂时...
急停按钮机械闩锁是一种安全保护装置。急停按钮机械闩锁常常用于工厂、机器等危险场所，通过限制急停按钮的复位或启动，保证设备或机器在发生突发情况或者故障时及时停机，从而保障人员和设备的安全。急停按钮机械闩锁的工作原理是当按下急停按钮时，闩锁会限制按钮的反弹，只有当必要的安全指令输入后，才能解开闩...
一、什么是闩锁效应 闩锁效应(Latch-up)是CMOS集成电路中一个重要的问题,这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁芯片。 二、闩锁效应的原理 闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的 n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就...
产生原因： VDD电压波动：芯片启动过程中，如果VDD电压变化速率过大，可能导致n型阱和P型衬底之间的寄生电容中产生大量电流，触发闩锁效应。 输入/输出信号电压范围超限：当输入/输出信号的电压范围超过VDD与地的阈值时，会引发大电流在芯片内部流动，从而可能触发闩锁。 静电放电：保护电路的瞬间高压可能引入...
简要回答什么是闩锁效应(Latch-up效应) 相关知识点: 试题来源: 解析 对于MOSFET来说,漏端夹断区内的电场很高,一部分电子进入夹断区后获得很高的能量成为热电子,克服Si-SiO2界面大约3.1eV的势垒进入到氧化层内成为氧化物固定电荷;同时,电子在强电场中也会发生碰撞电离而产生更多的电子-空穴对,其中的空穴被衬底收集...
简单来说，闩锁效应指的是当半导体器件的电压或电流达到某一特定值时，器件内部的正反馈机制使得其状态发生突然变化，从一种状态“锁定”到另一种状态。这种状态的变化往往是不可预测的，因此可能对设备的性能和稳定性造成影响。在极端情况下，闩锁效应可能会导致设备损坏或失效。具体来讲，闩锁...
它是指在CMOS芯片内部，由于寄生的PNP和NPN双极晶体管之间的交互作用，在VDD（电源）和VSS（地）之间形成低阻通路，导致大电流的流动。随着制造工艺的发展，封装密度和集成度的提升，Latch up的风险也随之增加。为了避免这种潜在的灾难，电路设计者必须采取严谨的布局策略，以减少闩锁效应的可能性，确保芯片...