闩锁效应是指CMOS集成电路中,由于寄生的NPN和PNP三极管相互导通,导致在电源VDD和地VSS之间产生低阻抗通路,从而引发大电流通过的一种物理现象。 现象描述: 闩锁效应会导致大电流长时间存在,可能对芯片产生永久性损坏,严重时可能导致电路失效甚至烧毁芯片。 具体原因: CMOS工艺在制造过程中会形成寄生的双极晶体管结构,包括...
闩锁效应(Latch-up)是CMOS工艺中特有的寄生效应,指的是在CMOS电路中,电源VDD和地GND之间由于寄生的NPN和PNP双极性BJT的相互影响而产生一个低阻通路,从而形成大电流,可能导致芯片永久性损坏。 闩锁效应的原理: 在CMOS集成电路中,由于晶体管之间的PN结和寄生双极型晶体管的存在,当某些特定条件下,比如电源电压变化、I/...
闩锁效应是指在某些系统中,由于特定条件的存在,使得系统进入一种“锁住”的状态,无法继续正常运行或产生所期望的结果。这种效应可能会导致系统停滞、失灵或陷入不可逆的状态。 1.闩锁效应的定义 闩锁效应是指在系统中出现的一种异常状态,其中多个因素相互作用,导致系统处于停滞或无法正常运行的状态。这种效应可能是暂时...
比如在单片机中,闩锁效应指的是单片机内部金属配线发生熔断的现象。对于IGBT而言,闩锁效应一般是由于其超出安全工作区域而导致的电流不可控现象,并且这种现象更多地取决于IGBT芯片本身的构造。 闩锁效应带来的后果是非常严重的。它可能会导致电路的性能下降,例如信号传输的失真、噪声的增加等。在极端情况下,甚至会导致电路...
的电子电荷改变了氧化层中的电荷分布,使得有效界面电荷Qi减小(因为电子是负电荷),导致阈值电压升高,从横向上看,有一个寄生的n-p-n BJT晶体管,而衬底电流IB相当于给这个BJT提供了基极电流;一旦这个寄生的BJT进入了放大状态,再想通过栅的控制作用将沟道区的电流关断就很困难了,这种现象称为闩锁效应(Latch-up效应)...
简单来说，闩锁效应指的是当半导体器件的电压或电流达到某一特定值时，器件内部的正反馈机制使得其状态发生突然变化，从一种状态“锁定”到另一种状态。这种状态的变化往往是不可预测的，因此可能对设备的性能和稳定性造成影响。在极端情况下，闩锁效应可能会导致设备损坏或失效。具体来讲，闩锁...
闩锁效应，也被称为自锁效应，是一种电子工程现象。在数字电路中，特别是在CMOS电路中，闩锁效应是一种重要的物理效应。当电路中的晶体管受到强烈的正向偏压时，会引发栅极和漏极之间的强电场，从而导致半导体中的载流子行为改变，使得晶体管从一种状态快速转变到另一种状态，也就是常说的开关状态切换。...
闩锁效应的产生主要有以下几个原因：芯片在启动过程中，由于VDD电压波动，导致n型阱和P型衬底之间的寄生电容中产生大量电流，如果电压变化速率过大，就可能触发闩锁效应。当输入/输出信号的电压范围超过VDD与地（VSS）的阈值，会引发大电流在芯片内部流动，这同样可能触发闩锁。静电放电（ESD）时，保护电路...
早期的CMOS工艺中，闩锁效应尤为显著，但现在随着工艺的进步和设计优化，这个问题已得到有效控制。在现代高集成度的芯片中，防止Latch up，即电源和地之间的低阻通路，成为了IC布局设计中的关键任务。Latch up最常发生于I/O电路，特别是在外部干扰大的环境下。它是指在CMOS芯片内部，由于寄生的PNP和NPN...