举例1:如上面2.2节分析,NMOS漏极和衬底形成的PN结被反向击穿,导致NMOS漏极向衬底注入空穴,此时在P-sub中的多子guardring—P-ring由于接低电位,所以能很好的吸收衬底的空穴,从而防止闩锁形; 举例2:如上面2.4节分析,NMOS源极和衬底形成的PN结正偏,导致NMOS源极向衬底注入电子,此时在P-sub中的少子guardring—N-rin...
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少子GuardRing : 制作在N阱中的N+ Ring环绕NMOS并接VDD; P+ Ring环绕PMOS并接GND。 使用少子保护环可以减少因为少子注入到阱或衬底引发的闩锁。 (iv)减小正反馈环路的增益。减小寄生晶体管的放大倍数和Rw/Rs阻值都可以有效降低环路增益。增加阱和衬底掺杂浓度以降低Rwell和Rsub, 例如,使用逆向掺杂阱。使NMOS和P...
闩锁效应,简称latch-up,是CMOS技术中的一个关键问题,它就像是在NMOS和PMOS之间形成的一个特殊的电路回路。你一听到latch-up,就想象一下这两个晶体管之间的回路,你基本上就掌握了这个概念的精髓。 这个现象之所以重要,是因为它有可能导致整个芯片彻底报废。所以,在质量检测(QUAL测试)中,latch-up是一个必须检查的项...
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闩锁效应Latch-up,是指瞬间电流被锁定或者放大,而造成芯片在电源与对地之间造成短路,而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高,电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。CTI华测检测提供完整的半导体产品芯片可靠性试验项目,协助客户通过JEDEC、MIL—STD、AEC-Q等可靠性国际试验标准。
闩锁(Latch-up) 闩锁就是指CMOS器件所固有的寄生可控硅(SCR)被触发导通,在电源与地之间形成低阻抗大电流通路的现象。这种寄生SCR结构存在于CMOS器件内的各个部分,包括输入端、输出端、内部反相器等。当在电源端、输入端或输出端有较强的浪涌冲击时,就可能触发这些可控硅,产生闩锁。当闩锁电流达到一定强度持续一段时...
在CMOS集成电路中,闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应(Latch-up),以及有效抑制闩锁效应的方法。 一、背景知识 (1)双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT) 图1 NPN型BJT的结构示意图、管芯剖面图和NPN型符号。[Copy from 电子工程世界] ...