主要方式有:MOCVD,LPCVD,PECVD,ALD等,常见反应式为: TiCl4+2H2—>Ti+4HCl WF6+3H2—>W+6HF 3.3电镀 通电,利用电化学原理,在晶圆表面沉积金属,一般电镀的镀种为Cu,Ni,Au,Sn等单质及其合金。比如Cu是互联的主要金属,由于铜无法被干法刻蚀,只能通过双大马士革工艺来进行互联...
有机化合物分子中的氢被金属取代，生成含有碳-金属键的有机金属化合物的反应。芳烃可与化学性质最活泼的游离金属(如铷、铯)进行金属化反应：C6H6+Rb→C6H5Rb 芳烃也可以与有机金属化合物进行金属化反应：C6H6+C2H5Na→C6H5Na+CH3CH3 金属化反应是合成有机金属化合物的重要方法，但它的应用范围主要限于碱金属...
金属化工艺（Metalization）也称为金属成形过程或金属布线过程。半导体通过各层的连接实现电路的运作，这就需要“金属化工艺”。我们需要连接线路接收来自外部的电能，使元件之间的信号不会混合在一起。#用于金属化工艺的“金属条件”所有类型的金属都可以用于金属化工艺吗？That‘s No No.用于形成电极层并连接各层的金...
尽管如此, IBM和Motorola,在1998年就宣布了基于铜技术的器件制造的可行性,现在所有的电路都采用铜金属化和低k介质技术开发,主要益处是提高性能和减少要求的金属层数。 大马士革工艺: 从铝到铜金属化的转变不是一个简单的材料转换,铜有其自身的一系列问题和挑战。这些挑战导致了独特的饿、高产能的工艺开发,该工艺专门...
第七章金属化 精品资料 7.1引言 金属化是芯片制造过程中在绝缘介质膜上淀积金属膜以及随后刻印图形以便形成(xíngchéng)互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。金属化是化学气相淀积、溅射、光刻、刻蚀、化学机械平坦化等单项工艺的工艺集成。精品资料 接触(jiēchù)孔 金属化连接 精品资料 芯片金属化技术术语1....
此方法是在塑料成型过程中添加特殊的金属颜料,例如金属粉、色母、造粒料等,使塑料制品实现珠光、金属光泽等效果。这种方法可以避免一些喷涂过程,是塑料整体金属化的方法。 目前有些塑料企业在开发这类产品,所生产的塑料颗粒能直接应用成型,工艺简单,降低成本。
通过引入外部金属离子、配合物或纳米颗粒，金属化后的MOF的性能得以显著改善。该综述全面梳理了近五年MOF金属化研究的进展，从设计原理、合成策略到潜在应用进行了总结。在保持MOF框架孔隙度的同时融合功能的设计原则，重点讨论了引入金属的一般策略及其为定制特定性能材料提供结构设计基础。系统总结了MOF金属化在气体吸附/...
虽然陶瓷具有相较于其他两种封装基板有着更为优异的综合性能，但是由于陶瓷材料作为强共价键型化合物，其电子配位十分稳定，不易与其他材料反应，并且与常见金属之间的润湿困难，而陶瓷基板表面金属化后的性能与功率电子器件在工作时的稳定性关系密切，故制约陶瓷封装基板广泛应用的原因便在于此，因此探究陶瓷表面金属化...
孔金属化是指各层印制导线在孔中用化学镀和电镀方法使绝缘的孔壁上镀上一层导电金属使之互相可靠连通的工艺。金属化孔双面印制板制造工艺的核心问题是孔金属化过程。金属化孔的要求是严格的，要求有良好的机械韧性和导电性，金属化铜层均匀完整，厚度在5一10 μm之间，镀层不允许有严重氧化现象，孔内不分层、无...