1.载流子的漂移运动、迁移率:载流子在电场作用下的运动称为漂移运动,满足:(漂移运动)(欧姆定律微分形式)J=nqμ|E|(漂移运动)=σ|E|(欧姆定律微分形式),并且电导率与迁移率的关系为σ=nqμ;对于半导体材料,半导体电导率与载流子浓度和迁移率的关系为:σ=nqμn+pqμp。 2.载流子的散射:散射的原因是周期性势...
改变该方向晶格常数(常用:-1%, -0.5%, 0, +0.5%, +1%)并固定,几何优化,弛豫另外一个方向晶格常数,得到Δl/l0。公式E1= ΔE/(Δl/l0)其实包含了两层意思,在计算电子迁移率时,ΔE对应的是CBM能量变化,计算空穴迁移率时,ΔE对应的是VBM能量变化。 4、难点 CASTEP如何得到CBM与VBM的确切值? CASTEP不像...
解:迁移率是单位电场强度下载流子所获得的平均漂移速率。影响迁移率的主要因素有能带结构(载流子有效质量)、温度和各种散射机构。 2.半导体中的散射机构主要有那些,它与温度的关系如何? 解:半导体的主要散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射 (1)电离杂质散射,23-∝T N P i i ,温度越高,载流子热运动的平均速度...
普通半导体材料的迁移率通常为102—106厘米2/伏·秒。通过调制掺杂技术制造的调制掺杂异质结迁移率可达到106厘米2/伏·秒以上。迁移率是表征半导体的一个重要参数。迁移率越大，器件的运行速度越快，截止频率就越高。砷化镓的电子有效质量比硅的小得多，因此砷化镓被用来制作高频器件。溶液的 溶液中带电粒子在电场E...
同一种半导体材料,根据不同的测试方法可以得到不同的迁移率的数值,由于每一种测试方法都有其局限性,为了使读者能够更好的理解这个迁移率数值是由何种方法而来,每种测试方法下的迁移率都有不同的命名:(1)电导迁移率(conductivity mobility)(2)霍尔迁移率(hall mobility)和(3)漂移迁移率(drift mobility)接下来,我...
迁移率是指物质在单位电场力下运动的速率，其单位是（cm²/V·s）。1、迁移率的定义与计算方法 迁移率是指电子、空穴或其他电荷载体在外加电场中移动的速率。它是由载流子的运动性质决定的，具有单位电场力下的速率量纲。迁移率可以通过测量材料中的载流子迁移长度和施加的电场强度来计算。迁移率的...
迁移率单位换算：MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，算的时候注意单位统一，单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox，其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级。迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快...
式中μ为载流子的漂移迁移率,简称迁移率,表示单位电场下载流子的平均漂移速度,单位是m2/V·s或cm2/V·s。 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,半导体材料的导电率越高。迁移率的大小不仅关系着导电能力的强弱,而且还直接决定着载流子运动的快慢。它对半导体器件的工作...
百度试题 题目迁移率(Mobility): 相关知识点: 试题来源: 解析 带电颗粒在单位电场强度下的泳动速度。M=V/E=Q/6πrη。反馈 收藏