半导体的导电性:迁移率/电阻率与杂质浓度和温度的关系 重点内容概要 1.迁移率与杂质浓度和温度的关系: μ=qτmn∗=qmn∗P,迁移率与平均自由时间成正比,与散射几率成反比。 杂质浓度一定:杂质浓度低时,声学波散射起主要作用,迁移率与温度成反比。杂质浓度很高时,声学波散射和电离杂质散射都需要考虑,低温主要是...
从大的方面来说,根据在MOSFET中的位置可以分为沟道迁移率和体迁移率:当MOSFET导通时,栅极下方的沟道内的迁移率我们称之为沟道迁移率;在远离栅极和材料表面的区域,我们称之为体迁移率。其中,体迁移率可以根据电导或者霍尔等方法来测,而沟道迁移率则需要通过测量MOSFET的输出特性来得到:这里又可以将其分为(1)有效迁...
1.载流子的漂移运动、迁移率:载流子在电场作用下的运动称为漂移运动,满足:(漂移运动)(欧姆定律微分形式)J=nqμ|E|(漂移运动)=σ|E|(欧姆定律微分形式),并且电导率与迁移率的关系为σ=nqμ;对于半导体材料,半导体电导率与载流子浓度和迁移率的关系为:σ=nqμn+pqμp。 2.载流子的散射:散射的原因是周期性势...
迁移率是指物质在单位电场力下运动的速率，其单位是（cm²/V·s）。1、迁移率的定义与计算方法 迁移率是指电子、空穴或其他电荷载体在外加电场中移动的速率。它是由载流子的运动性质决定的，具有单位电场力下的速率量纲。迁移率可以通过测量材料中的载流子迁移长度和施加的电场强度来计算。迁移率的...
解:迁移率是单位电场强度下载流子所获得的平均漂移速率。影响迁移率的主要因素有能带结构(载流子有效质量)、温度和各种散射机构。 2.半导体中的散射机构主要有那些,它与温度的关系如何? 解:半导体的主要散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射 (1)电离杂质散射,23-∝T N P i i ,温度越高,载流子热运动的平均速度...
【答案】：迁移率(又称泳动率)是指带电荷颗粒在一定电场强度下，单位时间内在介质中的迁移距离。迁移率与样品分子所带的电荷量、电场电压及电流成正比，与样品的分子大小、介质粘度及电阻成反比。不同大小的带电分子具有不同的迁移率，在不同的介质条件下又具有不同的分辨效率。
普通半导体材料的迁移率通常为102—106厘米2/伏·秒。通过调制掺杂技术制造的调制掺杂异质结迁移率可达到106厘米2/伏·秒以上。迁移率是表征半导体的一个重要参数。迁移率越大，器件的运行速度越快，截止频率就越高。砷化镓的电子有效质量比硅的小得多，因此砷化镓被用来制作高频器件。溶液的 溶液中带电粒子在电场E...
影响电泳迁移率的因素有: 1、电场强度:电场强度是指每lcm的电位降,亦即电势梯度。电场强度愈高,带电质点移动速度也愈快。 2、溶液的pH值:溶液的pH值决定了化合物解离的程度,也决定了质点所带的净电荷。对蛋白质氨基酸等两性电解质,其溶液幽H离等电点愈远,质点所带净电荷愈多,向相反电极的电泳速度也愈快。
迁移率单位换算：MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，算的时候注意单位统一，单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox，其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级。迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快...
凝胶迁移或电泳迁移率实验(EMSA)是一种研究DNA结合蛋白和其相关的DNA结合序列相互作用的技术,可用于定性和定量分析。这一技术最初用于研究DNA结合蛋白,已用于研究RNA结合蛋白和特定的RNA序列的相互作用。 通常…