而低剂量增强效应在MOS中主要表现为时间效果效应,即TDE,主要表现为MOS器件在进行高剂量辐射后,通过退火(在偏置状态下自然放置或高温放置),其性能会随时间发生继续退化,效果可退化至低剂量率辐照的退化程度,产生这种时间相关效应的主要取决于结构与工艺,这会造成辐照感生的氧化物电荷、界面态的生长和退火间的竞争机制不...
百度试题 结果1 题目如果一个射线源的强度为100R/hr,一个人在该射线源附近工作了2小时,请问他受到的总辐射剂量是多少?相关知识点: 试题来源: 解析 答案:总辐射剂量 = 射线源强度 × 时间 = 100R/hr × 2hr = 200R 反馈 收藏
因此对于那些存在低剂量率增强效应的元器件,抗辐射总剂量效应的考核难点主要就是如何充分评价低剂量率的恶劣影响,防止保守评价。 引用:向宏文.航天器空间辐射环境及效应地面模拟试验. 中国宇航学会飞行器总体专业委员会2004年学术研讨会 中国宇航学会, 2005 同时在低剂量率下,器件内产生的俘获电荷也会同时发生恢复(退火...
这次我们将继续探讨空间辐射总剂量效应的考核标准及步骤。 执行标准 对电子元器件总剂量效应考核目前国内主要执行GJB,航天标准,其中GJB 548B(等同MIL883)方法1019、GJB128A方法1019是现行的集成电路及分立器件总剂量辐照试验方法,而QJ 10004 宇航用半导体器件总剂量试验方法是国内最新推出的针对宇航用半导体器件的总剂量辐...
电离辐射总剂量效应是空间辐射效应之一，它与微电子工艺中广泛使用的二氧化硅材料联系紧密，二氧化硅既作为半导体器件的栅极氧化物，也同时作为场氧化物，又称为隔离氧化物。当带电粒子（如电子、质子等）、γ 射线、χ 射线作用在器件的氧化层或其他绝缘层中产生过剩的电子-空穴对时，会在器件内部不同位置产生复合、...
对元器件空间辐射总剂量效应的考核 综上所示,空间带电粒子辐射对元器件产生的累积电离损伤主要源于俘获电荷和界面态。因此在考核元器件对耐总剂量效应的能力时要充分考核这两方面的影响。 1)辐照源的选择 在具体实验中,需要采用一种简单易得的主要产生电离效应的辐射束来对电离效应进行考核。天然放射性物质会以γ射线...
1，粒⼦辐射积分通量单位为粒⼦/平⽅厘⽶。2，剂量率，它表明了单位时间内材料从⾼能辐射环境中吸收的能量，其单位为拉德/秒(rad/s)3，总剂量，它是材料从⾼能环境中吸收的能量，单位为拉德（硅）（rad/（Si））.单粒⼦效应 Single event effect，⼜称单事件效应。⾼能带电粒⼦在器件的...
某微电子系统集成在Si基片上，对其电离辐射，总剂量10 Mrad(Si),请问(Si)代表什么意思呢？指的是基片...
总剂量效应产生过程 空间带电粒子射线与物质的交互作用主要体现在诱发电离效应上。辐射粒子将能量用于激发半导体材料中的中性原子,使其形成电子-空穴对。然而,这种物质状态是不稳定的,一般情况下会发生电子-空穴的中和。但对于工作的半导体而言,其外加偏置会导致半导体内存在电场。在电场的作用下,电子-空穴对发生分离。
百度试题 结果1 题目如果一个人每年接受的生理辐射剂量为5毫西弗(mSv),那么他在10年内接受的总剂量是多少?相关知识点: 试题来源: 解析 答案:50毫西弗(mSv) 反馈 收藏