而低剂量增强效应在MOS中主要表现为时间效果效应,即TDE,主要表现为MOS器件在进行高剂量辐射后,通过退火(在偏置状态下自然放置或高温放置),其性能会随时间发生继续退化,效果可退化至低剂量率辐照的退化程度,产生这种时间相关效应的主要取决于结构与工艺,这会造成辐照感生的氧化物电荷、界面态的生长和退火间的竞争机制不...
而低剂量增强效应在MOS中主要表现为时间效果效应,即TDE,主要表现为MOS器件在进行高剂量辐射后,通过退火(在偏置状态下自然放置或高温放置),其性能会随时间发生继续退化,效果可退化至低剂量率辐照的退化程度,产生这种时间相关效应的主要取决于结构与工艺,这会造成辐照感生的氧化物电荷、界面态的生长和退火间的竞争机制不...
1.1钝化层的辐射效应 钝化层的总剂量辐射效应可分为4个过程 一当器件受到总剂量电离辐射 时，钝化层将吸收能量并产生电子-空穴对，每对辐射诱生电子-空穴对所需能量为17±1eV。整个辐射过程中，部分电子-空穴对在短时间内复合;电子在钝化层中迁移率较高(室温下约为20cm2v-1s1)，未复合电子将在ps或更短时间...
1.1 范艾伦辐射带 (2)1.1.1 内辐射带（Inner Belt） (3)1.1.2 外辐射带（Outer Belt） (3)1.2 宇宙线辐射环境 (3)1.2.1 银河宇宙线 (3)1.2.2 太阳宇宙线 (3)1.3 核爆辐射环境 (4)1.4 存在电离总剂量辐射的环境 (4)二、总剂量辐射损伤的产生机理 (4)三、电离总剂量辐射对器件的影响 ...
1，粒⼦辐射积分通量单位为粒⼦/平⽅厘⽶。2，剂量率，它表明了单位时间内材料从⾼能辐射环境中吸收的能量，其单位为拉德/秒(rad/s)3，总剂量，它是材料从⾼能环境中吸收的能量，单位为拉德（硅）（rad/（Si））.单粒⼦效应 Single event effect，⼜称单事件效应。⾼能带电粒⼦在器件的...
对元器件空间辐射总剂量效应的考核 综上所示,空间带电粒子辐射对元器件产生的累积电离损伤主要源于俘获电荷和界面态。因此在考核元器件对耐总剂量效应的能力时要充分考核这两方面的影响。 1)辐照源的选择 在具体实验中,需要采用一种简单易得的主要产生电离效应的辐射束来对电离效应进行考核。天然放射性物质会以γ射线...
电离总剂量辐射效应是指电离辐射的累积导致器件的参数发生退化的现象。IC61LV5128-15T半导体器件主要分为MOS器件、双极器件两类。对于MOS器件,无论是硅栅器件还是金属栅器件,在栅和衬底之间有一层siα介质,其与衬底Si将构成Si-So2系统;而双极器件均采用siO2钝化层(氧化层)保护器件表面,其钝化层与衬底si也将构成si...
电离辐射总剂量效应是空间辐射效应之一，它与微电子工艺中广泛使用的二氧化硅材料联系紧密，二氧化硅既作为半导体器件的栅极氧化物，也同时作为场氧化物，又称为隔离氧化物。当带电粒子（如电子、质子等）、γ 射线、χ 射线作用在器件的氧化层或其他绝缘层中产生过剩的电子-空穴对时，会在器件内部不同位置产生复合、...
航天器在侦察、探测、指挥、通信等方面起着至关重要的作用。但在太空中,航天器中的电子器件会受到空间辐射而产生辐射损伤,导致航天器部分功能失效乃至失控。长时间辐射剂量累积引起的半导体器件电离辐射总剂量效应,是辐射环境中工作系统的一种典型辐射效应现象。因此,电
电离辐射总剂量效应研究关注的内容 电离辐射总剂量效应是空间辐射效应之一,它与微电子工艺中广泛使用的二氧化硅材料联系紧密,二氧化硅既作为半导体器件的栅极氧化物,也同时作为场氧化物,又称为隔离氧化物。当带电粒子(如电子、质子等)、γ 射线、χ 射线作用在器件的氧化层或其他绝缘层中产生过剩的电子-空穴对时,会在...