ic抗辐射加固的方法 1.结构加固:增加辐射安全性的结构可用地下管道或其他混凝土结构,以阻挡和减轻由辐射所产生的杂波,同时用隔离装置分隔电气元件就可以降低辐射泄漏。 2.屏蔽材料:在设备外壳上涂上屏蔽材料,特别是金属面,可用于减轻来自主源的辐射。对于空中发射的辐射,可通过将设备放置与周边建筑的空隙处或栅栏等...
总剂量辐射对 SRAM 功能的影响 ...9 四、针对辐射损伤所采取的辐射加固方法...9 4.1 环形栅结构...
中华人民共和国国家军用标准FL GJB 762. 1 - 89 半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验Testing methods for radiation hardne 咽 of semiconductor devices Testing for neutron irradiation 1989-08 → 24 发布 1989-12-31 实施国防科学技术工业委员会批准...
芯片辐射效应的研究;总结 MRAM 总剂量电离效应和单粒子效应辐照试验研究结果,以及辐射效应导致 MRAM 读写错误的物理机制;分析辐射效应对磁性隧道结结构和性能的影响,并指出 MRAM 应当针对外围电路、存储单元晶体管和磁性隧道结等处不同类型辐射效应进行对应的抗辐射加固;最后从材料和工艺方面简要介绍 MRAM 加固方法。关键...
中华人民共和国国家军用标准FL GJB 762. 1 - 89 半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验Testing methods for radiation hardne 咽 of semiconductor devices Testing for neutron irradiation 1989-08 → 24 发布 1989-12-31 实施国防科学技术工业委员会批准 ...
四、针对辐射损伤所采取的辐射加固方法 通过第三章介绍可以知道总剂量辐射损伤会对半导体元器件的性能参数产 生致命的影响,在高精度和高稳定性的航天系统和武器系统中决不允许出现上述 或者类似情况。因此,航天及战略武器用电子元器件通常会采取相应措施来减小 或避免总剂量辐射对器件性能的影响,即对器件及系统进行抗总...
1 SOIMOSFET抗辐射加固的几种常用方法 111 栅氧总剂量电离辐射在氧化物内和氧化物/Si界面处建立的陷阱电荷数量与氧化物的工艺和质量直接相关。有研究表明,栅氧中辐射诱生陷阱正电荷引起的阈值电压漂移量与栅氧层厚度成正比,即 $V=q@Ntraps@Tox/Eox SemiconductorTechnologyVol133No13 223 何玉娟 等:SOIMOSFET抗...
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本发明提供一种P型碳纳米管场效应晶体管的抗总剂量辐射加固方法,主要解决现有加固技术无法兼顾低成本与高性能的技术问题。该方法包括以下步骤:【1】试验样品选择;【2】辐照前参数测试;【3】总剂量辐照试验;【4】辐照后参数测试;【5】重复步骤【3】与步骤【4】,获取多个辐照后的转移特性曲线;【6】建立试验样品辐射...