ic抗辐射加固的方法 1.结构加固:增加辐射安全性的结构可用地下管道或其他混凝土结构,以阻挡和减轻由辐射所产生的杂波,同时用隔离装置分隔电气元件就可以降低辐射泄漏。 2.屏蔽材料:在设备外壳上涂上屏蔽材料,特别是金属面,可用于减轻来自主源的辐射。对于空中发射的辐射,可通过将设备放置与周边建筑的空隙处或栅栏等...
本发明属于机器人抗辐射技术领域,具体涉及一种机器人用无刷电机驱动的抗辐射加固方法,包括如下步骤:步骤S1,将无刷电机驱动关键部件替换为抗辐射部件;步骤S2,对无刷电机驱动的电路的抗辐射设计;步骤S3,进行软件层面的嵌入式开发,利用控制手段进行电路保护。本发明可使机器人电机驱动的累计抗辐射剂量从50Gy左右提高到2000...
一=-标EJ用G国固和民人中FL180GJB8874-016抗辐射加固快中子反应堆辐照试验方法T部tingmethodsforradia世onhardeninginfastneutronreacωr016-05-03发布016-08-01实施中央军委装备发展部颁布
摘要 本发明公开了一种MOS器件抗辐射加固的方法,该方法在原有的SiO2膜工艺制备基础上进行适当的改善,在SiO2中掺入Al、Cr、P或Mo,引入大量的电子俘获中心,减少了正电荷的积累和界面陷阱密度,从而提高耐辐射的能力。采用1000摄氏度干氧氧化工艺制备;氧化后用He、Ar等惰性气体代替N2作为退火气氛,可明显降低杂质浓度,制...
1.一种提高抗辐射VDMOS的栅氧反向击穿加固工艺方法,其特征在于,包括: 提供衬底,在其表面形成外延层; 制作P阱; 制作源端和体接触端; 进行高温栅氧干氧氧化SiO2分段生长的第一次生长; 进行低温栅氧干氧氧化SiO2分段生长的第二次生长; 进行多晶硅的光刻和腐蚀,形成多晶栅控制端。 2.如权利要求1所述的提高抗辐射...
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埋氧层。埋氧层一方面使器件的结面积减小, 未加固的器件高个数量级。 从而降低了其收集电离电荷的能力,另一方面也使抗辐射加固的几种常 埋层以下的衬底中的电离电荷不能进入器件的结区 用方法 被收集。然而,埋氧层的存在却使技术在总剂 量电离辐射中并不比体结构占优势。技术在. 栅氧 总剂量电离辐射中的劣势...
分类号 TN386 学号 09040079 UD C 密级 公 开 工学硕士学位论文 一种基于 NAND Flash 存储器的抗辐射 软件加固方法研究 硕士生姓名 易伟 学科专业 电子科学与技术 研究方向 嵌入式系统与固态存储 指导教师 徐欣 教授 国防科学技术大学研究生院 二〇一一年十一月...
2抗辐射加固的途径国外在研究器件抗辐射加固技术方面,主要集中在版图设计和优化工艺技术方面,为此.我们也从这两方面入手。2.I版图设计加圈技术电离辐射不仅引起拇介质的退化,而且对场介质也产生同样的损伤主要表现在场介质中大量氧化物’轰昔者:一。正电荷的积累.场区寄生沟遭前形成.漏电增大导致场区失技.环形栅...
摘要 本发明公开了一种基于二维检错纠错编码的SRAM抗辐射加固方法,用于解决现有SRAM抗辐射方法SRAM抗单粒子翻转能力差的技术问题。技术方案是首先对写入数据进行横向正反码(16,8)编码,对同列数据进行纵向海明码(12,8)编码,即基于正反码和海明码交叉校验的二维检错纠错编码;然后当发生单粒子效应导致多位翻转问题时,利...