本发明公开一种SiC超高压PiN二极管器件材料的制备方法,其包括以下步骤:S001:将SiC单晶衬底放在反应腔内,加热至1550℃1700℃,同时通入氢气以清洁SiC单晶衬底表面,且同时蚀刻过SiC单晶衬底表面,释放SiC单晶衬底表面的应力;S002:在SiC单晶衬底之上生长调制的形成具有多层渐变厚度和掺杂浓度的缓冲层;S003:在缓冲层之上生长...
为了解决上述技术问题,本发明采用了下述技术方案:该sic超高压pin二极管器件材料的制备方法包括以下步骤:s001:将sic单晶衬底放在反应腔内,将反应腔加热1550℃-1700℃,同时通入氢气以清洁sic单晶衬底表面,且同时蚀刻过sic单晶衬底表面,释放sic单晶衬底表面的应力;s002:在sic单晶衬底之上生长调制的形成具有多层渐变厚度和掺杂...
SDS120J040G3 碳化硅二极管 1200 20/40 @TC=153℃ 1.35 1.85 180 60 -55~175 单芯 工业级 TO247-3 立即申请 SDS120J020H3 碳化硅二极管 1200 20 @Tc=155℃ 1.35 1.85 180 60 -55~175 单芯 工业级 TO247-2 立即申请 SDS120J030G3 碳化硅二极管 1200 15/30 @Tc=155℃ 1.35 1.85 140 45 -55...
14kV-1 A SiC超高压PiN二极管设计了一种耐压超过14 kV的4H-SiC超高压PiN二极管.外延材料N-层掺杂浓度3.0×1014cm-3,厚度140 μm.通过模拟仿真,采用台面结合双JTE结终端保护结构,器件实现了14 kV以上耐压,正向导通电流1A.栗锐黄润华柏松陶永洪
混合PiN肖特基二极管功率二极管三维现代社会对半导体芯片具有旺盛的需求,而4H型碳化硅(4H-SiC)功率器件是下一代半导体芯片中极具潜力的候选者,可应用于各种电力电子系统.为了提高4H-SiC功率器件的性能,本文提出了一种具有三维(3D)p型埋层(PBL)的超高压(UHV)4H-SiC混合p型/本征/n型(PiN)肖特基(MPS)(3D-PBL MPS...