SI中的深能级陷阱是指半导体材料中存在的能级缺陷,它可以在能带中形成能隙(禁带)的陷阱。 半导体材料中的深能级陷阱对于材料的电学性质和功效起着关键作用。例如,它们可以影响材料的载流子密度和运输特性,从而影响半导体器件的性能。深能级陷阱还可以用于制造半导体材料中的电子和光学器件,如太阳能电池和光电二极管。 一...
专利摘要显示，多个栅电极在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠在衬底的上表面上。沟道区域穿过多个栅电极以垂直于衬底的上表面延伸。栅极介电层包括顺序地设置在沟道区域和多个栅电极之间的隧穿层、电荷存储层和阻挡层。电荷存储层包括多个掺杂元素原子和由多个掺杂元素原子生成的多个深能级陷阱。多个掺杂元素原子的浓度分布...
栅极介电层包括顺序地设置在沟道区域和多个栅电极之间的隧穿层、电荷存储层和阻挡层。电荷存储层包括多个掺杂元素原子和由多个掺杂元素原子生成的多个深能级陷阱。多个掺杂元素原子的浓度分布在电荷存储层的厚度方向上是不均匀的。
为此,美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校Cao Qing课题组提出了一种新的思路,即故意将更多且异质的缺陷引入半导体材料中,并使这些缺陷自我组织形成规则且电气良性的缺陷复合体。这一策略的核心在于,这些有序的缺陷复合体可以清除带隙内的深能级陷阱,从而提高材料的载流子迁移率和器件的整体性能。以上成果在“Science Advance...
NiO/Ga2O3异质结二极管中深能级陷阱和载流子输运机制Correlation of deep-level traps and carrier transport mechanisms in NiO/Ga2O3 heterojunction diodes汪正鹏南京大学Zhengpeng WangNanjing University 展开更多0 条评论guansheng发消息 分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白! 关注1万...
同时在反向特性中具有高的耐压特性而被广泛研究.SiC基双极型PiN二极管作为光导开关在大功率开关器件的电路中可以实现快速开启和关断的功能,但SiC材料中的深能级缺陷会俘获光生载流子,降低少数载流子寿命,从而影响器件的光电特性.现阶段国内对于深能级陷阱的研究还处于初步阶段相关资料较少,关于深能级陷阱对于半导体器件的...
LCMO样品与电极接触处出现EPIR效应主要源于样品表面处的深能级陷阱。关键词:钙钛矿结构锰氧化物;脉冲诱导电阻转变效应;Schottky势垒;深能级陷阱;空间电荷层中图分类号:O469文献标志码:A文章编号:0454–5648(2013)12–1627–05网络出版时间:2013–11–2913:42:00网络出版地址:http://ki.net/kcms/detail/11.2310.TQ...
La05Ca05MnO3陶瓷的EPIR效应与深能级陷阱-IngentaConnect See discussions, stats, and author profiles for this publication at: /publication/262901675 Relations between deep traps and EPIR effect in La0.5Ca0.5MnO3 ceramic Article in uei Suan Jen Hsueh Pao/ Journal of the Chinese Ceramic Society · ...
对经PECVD生长的P-InPMIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质模生长是在特定条件下进行的,分别利用C-V和DLTS技术进行研究。结果表明,结果表明,在介质膜和InP之间的InP之间的InP-侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是不同生长条件的介质膜淀积过程中等离体引进的有关辐照损伤。关键...