SI中的深能级陷阱是指半导体材料中存在的能级缺陷,它可以在能带中形成能隙(禁带)的陷阱。 半导体材料中的深能级陷阱对于材料的电学性质和功效起着关键作用。例如,它们可以影响材料的载流子密度和运输特性,从而影响半导体器件的性能。深能级陷阱还可以用于制造半导体材料中的电子和光学器件,如太阳能电池和光电二极管。 一...
专利摘要显示，多个栅电极在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠在衬底的上表面上。沟道区域穿过多个栅电极以垂直于衬底的上表面延伸。栅极介电层包括顺序地设置在沟道区域和多个栅电极之间的隧穿层、电荷存储层和阻挡层。电荷存储层包括多个掺杂元素原子和由多个掺杂元素原子生成的多个深能级陷阱。多个掺杂元素原子的浓度分布...
为此,美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校Cao Qing课题组提出了一种新的思路,即故意将更多且异质的缺陷引入半导体材料中,并使这些缺陷自我组织形成规则且电气良性的缺陷复合体。这一策略的核心在于,这些有序的缺陷复合体可以清除带隙内的深能级陷阱,从而提高材料的载流子迁移率和器件的整体性能。以上成果在“Science Advance...
NiO/Ga2O3异质结二极管中深能级陷阱和载流子输运机制Correlation of deep-level traps and carrier transport mechanisms in NiO/Ga2O3 heterojunction diodes汪正鹏南京大学Zhengpeng WangNanjing University 展开更多0 条评论guansheng发消息 分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白! 关注1万...
同时在反向特性中具有高的耐压特性而被广泛研究.SiC基双极型PiN二极管作为光导开关在大功率开关器件的电路中可以实现快速开启和关断的功能,但SiC材料中的深能级缺陷会俘获光生载流子,降低少数载流子寿命,从而影响器件的光电特性.现阶段国内对于深能级陷阱的研究还处于初步阶段相关资料较少,关于深能级陷阱对于半导体器件的...
砷化稼中某些深能级陷阱间的平衡邹元曦8中国科学院上海冶金研究所9提要介绍了作者对:5∋;中四个深能级缺陷间的平衡所作的计算,并对这些缺陷的本性作出推测,对文献中的一些不同看法以及不同材料中这些能级数量上的差异作了讨论3最后对以前文章中的某些论点作了修改和补充3一、引言随着:5∋;激光和微波器件以及...
epir能级效应陷阱陶瓷低阻态 2013年12月December,2013JOURNALOFTHECHINESECERAMICSOCIETY DOI:10.7521/j.issn.0454-5648.2013.12.05 La 0.5 Ca 0.5 MnO 3 陶瓷的EPIR效应与深能级陷阱态的关系 吴美玲 1 ,杨昌平 1 ,石大为 1 ,王瑞龙 1 ,肖海波 1 ,杨辅军 1 ,王浩 1 ,VyacheslavMarchenkov 2 (1.有机化工...
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究.样品介质膜生长是在特定条件下进行的.分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究.结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数.这些陷阱可能是在不同生长...
《缺陷、深能级陷阱与CaCu3Ti4O12巨介电常数之间的关系》是依托湖北大学，由杨昌平担任项目负责人的面上项目。项目摘要 CaCu3Ti4O12因具有介电常数大，使用频率宽，温度稳定性好，并在常规条件下只需一步烧结即可合成等优点成为当前巨介电材料的研究热点。由于界面问题的复杂性和研究手段的局限性，目前在其巨介...