长春长光辰芯取得背照式和电子冲击型CMOS传感器的制造方法、像素及传感器专利 金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，长春长光辰芯光电技术有限公司（日本）取得一项名为“背照式和电子冲击型CMOS传感器的制造方法、像素及传感器”的专利，授权公告号CN 112992952 B，申请日期为2021年2月。本文源自：金融界 作者：情报员
专利摘要显示，本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种背照式图像传感器及其制造方法。背照式图像传感器包括：半导体基底层，半导体基底层包括相对的正面和背面；多个像素掺杂区，多个像素掺杂区相互横向间隔地设于半导体基底层中，从半导体基底层的正面向下延伸；多个隔离区，各个隔离区设于相邻的两个像素掺杂...
摘要 本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器的制造方法,包括在衬底中依次形成感光二极管区及至少一层金属互连层;在衬底下表面形成并刻蚀介质层,以使介质层间形成开口区域,金属互连层的金属互连线通过开口区域引出;在开口区域形成多孔硅结构,多孔硅结构的深度为衬底下表面至所述金属互连线的深度;去除介质层;以及在多孔...
本发明提供了一种背照式CMOS光学传感器的制造方法,包括:提供第一衬底,在所述第一衬底表面沉积第一氧化物层,并通过化学机械研磨工艺进行表面抛光;提供第二衬底作为承载片,并在所述第二衬底表面沉积一层钝化介质层;在所述钝化介质层表面沉积第二氧化物层,并通过化学机械研磨工艺进行表面抛光;采用等离子体照射所述第一...
1.一种背照式CMOS传感器的制造方法,其特征在于,包括:在硅基板的内部形成N型的感光区的形成工序;向所述硅基板的背面注入形成P+扩散层的离子的注入工序;以及为了将注入的离子激活而从所述硅基板的背面照射激光的照射工序;对背照式CMOS传感器除表面形成有模拟电路的区域以外照射所述激光。 2.根据权利要求1所述的...
拉芳德利取得对背照式CMOS光学传感器进行制造的方法专利 金融界2024年11月25日消息，国家知识产权局信息显示，拉芳德利责任有限公司取得一项名为“对背照式CMOS光学传感器进行制造的方法”的专利，授权公告号CN 114402436 B，申请日期为2020年9月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
专利摘要:本发明公开一种背照式影像传感器结构及其制造方法,其中该背照式影像传感器结构包括像素结构。像素结构包括基底、感光元件与至少一个光管结构。基底包括彼此相对的第一面与第二面。第二面具有至少一个凹陷。感光元件位于基底中。感光元件邻近于第一面。光管结构位于基底中。光管结构位于感光元件的正上方。
背照式CMOS影像传感器的制造方法专利信息由爱企查专利频道提供,背照式CMOS影像传感器的制造方法说明:本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器的制造方法,所述背照式CMOS影像传感器的制造方法包括...专利查询请上爱企查
武汉新芯取得背照式图像传感器基板及制造方法专利 金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“背照式图像传感器基板及背照式图像传感器的制造方法”的专利，授权公告号 CN 112366211 B，申请日期为 2020年11月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器的制造方法,包括在衬底中依次形成感光二极管区及至少一层金属互连层;在衬底下表面形成并刻蚀介质层,以使介质层间形成开口区域,金属互连层的金属互连线通过开口区域引出;在开口区域形成多孔硅结构,多孔硅结构的深度为衬底下表面至所述金属互连线的深度;去除介质层;以及在多孔硅结构...