电子器件中通常使用的一种CMOS图像传感器是背照式(BSI)图像传感器。BSI图像传感器包括光检测器阵列,光检测器阵列覆盖互连结构且被配置成接收与互连结构相对一侧上的辐射。这种布置允许辐射照射在光检测器上而未受互连结构中的导电部件的阻碍,这样使得BSI图像传感器对入射辐射具有高敏感度。 发明内容 根据本发明的一个...
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“背照式图像传感器基板及背照式图像传感器的制造方法”的专利，授权公告号 CN 112366211 B，申请日期为 2020年11月。本文源自：金融界 作者：情报员
金融界2024年11月25日消息，国家知识产权局信息显示，拉芳德利责任有限公司取得一项名为“对背照式CMOS光学传感器进行制造的方法”的专利，授权公告号CN 114402436 B，申请日期为2020年9月。本文源自：金融界 作者：情报员
1.一种背照式CMOS图像传感器制造方法,其特征在于,包括以下步骤: 在衬底中依次形成感光二极管区及至少一层金属互连层; 在所述衬底下表面形成并刻蚀介质层,以使所述介质层之间形成开口区域,所述金属互连层的金属互连线通过所述开口区域引出; 在所述衬底下表面的所述开口区域形成多孔硅结构,所述多孔硅结构的深度为所...
集微网消息,天眼查显示,武汉新芯集成电路股份有限公司“背照式图像传感器及其制造方法”专利公布,申请公布日为2024年4月5日,申请公布号为CN117832240A。
本发明的目的在于提供一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法,以解决现有的背照式CMOS影像传感器存在电学串扰的问题。 为解决上述技术问题,本发明提供一种背照式CMOS影像传感器,所述背照式CMOS影像传感器包括:晶圆;形成于所述晶圆中的多个光电二极管;形成于所述晶圆中、并将相邻两个光电二极管予以隔离的隔离结构,所述隔...
武汉新芯取得背照式图像传感器及其制造方法专利 金融界2024年11月13日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“背照式图像传感器及其制造方法”的专利，授权公告号CN 114267691 B，申请日期为2021年12月。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
【富士X-T3相机的背照式传感器为索尼制造】来最近一次接受采访时,富士经理曾指出X-T3所使用的2600万像素背照式CMOS并不是由三星制造的。但是,由于索尼早前也并未注册过任何2600万像素的背照式传感器,因而有不...
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种背照式CMOS传感器及其制作方法。 背景技术 背照式CMOS传感器(BSI CMOS sensor)是通过将感光层的原件调转方向,使得光线从器件背面直射进去,从而有效的避免了传统CMOS传感器结构中,光线需经过位于微透镜和光电二极管之间的电路、晶体管等结构层才能到达感光层,进而显著的提高了光的效能...
武汉新芯取得背照式图像传感器基板及制造方法专利 快报2024-11-30 13:01:14 金融界灵通君 北京 举报 0 分享至 0:00 / 0:00 速度 洗脑循环 Error: Hls is not supported. 视频加载失败 金融界灵通君 134粉丝 金融界旗下账号 01:04 苏州芯长源取得引线框架自动收料装置专利,实现在料盒提升过程中...