针对扩散电容来说：PN结反向偏置时电阻大，扩散电容小，主要为势垒电容。正向偏置时，电容大，取决于扩散电容，电阻小。频率越高，电容效应越显著。在集成电路中，一般利用PN结的势垒电容，即让PN结反偏，只是改变电压的大小，而不改变极性。作用 二极管的PN结之间是存在电容的，而电容是能够通过交流电的。由于结电容...
结电容是指PN结的电容,具有比普通电容更加稳定的特性,可以用于一些特殊的应用场合,例如高温、高压、高频率等。结电容的特点如下: 1. 极化方向:电容器有正负极之分,而结电容则是有极性的,在正向偏置时,它会产生储存电荷的作用,反向偏置时则会变为高阻状态; 2. 电容量小:受到结区域的面积、掺杂浓度、工艺等因素...
二极管在反偏时,势垒电容起主要作用,而正偏时,扩散电容起主要作用。 扩散电容 当有外加正向偏压时,在 p-n 结两侧的少子扩散区内,都有一定的少数载流子的积累,而且它们的密度随电压而变化,形成一个附加的电容效应,称为扩散电容。 当PN结加上正向电压,内部电场区被削弱,因为浓度差异,P区空穴向N区扩散,N区的电...
如下图是一个MOS的关断波形。在A阶段,DS电压相对较低(例如0-30V),此时流经结电容的电流主要是在改变结电容的大小,而在B阶段,结电容随电压变化很小了,电流主要用于产生正向的dv/dt,让DS电压上升,形成关断。 因此,关注器件的开关特性,一定要同时关注结电容和电荷。一般datasheet会给出某一个具体条件下的上升下降...
事实表明,PN结正偏的时候,结电容主要是扩散电容,PN结反偏的时候,结电容主要是势垒电容。 说我二极管的结电容,再来看看反向恢复时间。 反向恢复时间 由PN结构成的二极管都会有一个trr的参数,这个参数就是二极管的反向恢复时间。 从上一节内容我们知道,trr这个参数决定了二极管的最高工作频率。
扩散电容和结电容虽然都属于pn结电容,但是二者的形成原理和结构都不同。 1. 结构上的区别 扩散电容的结构中间加入一段掺杂相反杂质的扩散区。而结电容的结构是pn结,具有正向电容和反向电容两个功能,正反偏置下的电容值不同。 2. 形成原理的区别 扩散电容的形成是利用扩散现象,在杂质浓度分布不均匀的区域...
结电容的定义 1. 嘿,你知道结电容是什么吗?就好比一个小水库,能储存电荷呢!比如说在电子电路里,晶体管的结电容就像一个小小的电荷仓库,影响着电路的性能呀! 2. 结电容啊,简单来说就是半导体器件中存在的一种电容呀!这就好像是一个神秘的小盒子,储存着电能呢!你想想看,在那些复杂的电子产品里,结电容不就...
结电容是指PN结构中形成的电容。PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构,两者之间形成的电场使得该结构能够存储电荷。在PN结中,P型半导体和N型半导体之间形成的耗尽层就是一种结电容。 结电容的特点是具有高的质量因数和较低的串扰。质量因数是指电容器的带宽与其损耗之比,用于衡量电容器的性能。结电容的带宽较高...
二极管结电容分为两种:势垒电容和扩散电容。二极管的结电容等于两者之和,在PN结反偏的情况下,势垒电容主导作用。在PN结正偏的情况下,扩散电容主导作用。节电容并不是两个管脚引起杂散电容,是由于PN节的特性产生的。 1、势垒电容 其实这个势垒电容很好理解,我们都知道在PN结半导体中由于扩散的缘故,PN结附近会形成一个...