肖特基二极管的结电容公式是c=A*sqrt(e*ε*Nd/[2(Vbi-Va)]),Va是正偏压,Vbi一般为零点几伏,那当Va大于Vbi时,根号里的分母变成负的了,那电容怎么算 答案 结两端电压波动时,结区内建电场宽度和场强均发生变化,由于材料极化作用(参看相应材料的介电常数),产生电容效应.当外加电压等于开启电压Vbi时,内建...
结电容计算公式 势垒电容C_T 基本公式及原理。公式：C_T=(dQ)/(dV)=(varepsilon A)/(W)该公式基于平行板电容器的电容公式，将PN结的势垒区类比为平行板电容器。其中(dQ)/(dV)从电容的本质定义出发，表示单位电压变化引起的电荷量变化。varepsilon是半导体的介电常数，它由半导体材料的性质决定，不同的半导体...
m是 grading coefficient(梯度系数),其值通常在0.33到0.5之间,它反映了肖特基结空间电荷区的杂质分布情况。不同的杂质分布会导致结电容随外加电压的变化特性不同,m值就是用来描述这种特性的参数。 公式解析。 2. 原理:肖特基结是金属与半导体接触形成的结。当外加电压变化时,肖特基结的空间电荷区宽度会发生改变。空...
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ESR值与纹波电压的关系可以用公式V=R(ESR)×I表示。这个公式中的V就表示纹波电压,而R表示电容的ESR,I表示电流。可以看到,当电流增大的时候,即使在ESR保持不变的情况下,纹波电压也会成倍提高。
一、电阻电容并联的计算公式 在电路中,电阻电容并联的计算需要使用以下公式: 1/R_eq = 1/R_1 + 1/R_2 + 1/R_3 1/C_eq = 1/C_1 + 1/C_2 + 1/C_3 其中,R_eq表示电路的总电阻,C_eq表示电路的总电容。R_1、R_2、R_3分别表示三个电阻的阻值,C_1...
二、简化公式C = (ε A)/(d)公式原理及类比依据。此公式源于平行板电容器的电容计算公式。在理想情况下，把 TVS 的 PN 结类比为平行板电容器，PN 结的 P 区和 N 区可看作电容器的两块极板，用于存储电荷；而耗尽层则类似于极板间的电介质，起到隔离电荷和存储电场能量的作用。通过这样的类比，可以从物理...
pn结的结电容可以通过以下公式计算: C = sqrt(2 * ε * ε0 * A / (q * Nd * (Vbi - V))) 其中: - C 是 pn 结的等效结电容 - ε 是半导体的介电常数 - ε0 是真空的介电常数 - A 是 pn 结的交叉截面积 - q 是元电荷(1.6 x 10^-19 C) - Nd 是 n型区域的杂质浓度 - Vbi 是...
3. 两极板间电压V = E·d = Qd/(εS)。4. 根据电容定义式C = Q/V,代入电压公式得: C = Q / (Qd/(εS)) = εS/d。其中,ε为介电常数(包括真空和介质因素),S为极板有效面积,d为板间距。该公式适用条件为:理想平行板、均匀电场且边缘效应忽略不计。