当工艺节点推进到7nm制程以下时，极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography, EUV）技术就是摩尔定律延续下的唯一选择。此项技术涵盖了等离子体动力学、量子物理、以及超精密机械等各种尖端技术，其复杂程度相比传统深紫外（DUV）光刻技术要大很多，接下来我们将从光学系统、光源生成、真空环境等核心技术层面，来带你深...
(3)光刻模板(mask) (4)能够用于极端紫外的光刻涂层(photo—resist) EUV光刻原理如上图所示。光源采用气体喷射靶激光等离子体光源或同步辐射光工作气体为氙 e)气。利用激光能或电能轰击靶材料产生等离子体,等离子体发EUV辐射,EUV辐射经过由周期性多层薄膜反射镜组成的聚焦系统入射到反射掩模上.出的EUV光波再通过反射镜...
深紫外光刻技术（DUV）DUV技术则使用波长在193纳米左右的深紫外光进行光刻。DUV技术通过使用光刻机中的透镜系统来聚焦光束，实现图案的转移。随着技术的发展，DUV技术已经发展出多种衍生技术，如浸没式光刻（Immersion Lithography）和多重曝光技术（Multiple Patterning），以满足更高精度的需求。应用领域 EUV技术的应用 E...
极紫外线光刻机（Extreme Ultra-violet），又通常被称为EUV光刻机，它以波长为10~14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术，该设备当前可被应用于14纳米及以下的先进制程芯片的制造。极紫外线光刻机是芯片生产工具，是生产大规模集成电路的核心设备，对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆，只能用EUV光刻...
日本NTT公司的Hiroo Kinoshita是极紫外光刻(EUV)技术领域的领军人物。他最早在1984年就考虑将极紫外光刻(EUV)技术应用于半导体制造,但其研究成果最初未受到重视,业界并不认为这种方式可以实现。 同期的美国研究人员也遇到相同的遭遇,AT&T贝尔实验室的员工在1986年向美国政府提出:“X射线激光与多层反射镜配合,可以作为下...
光刻技术包括光学光刻技术、极紫外光刻技术和X射线光刻技术。然而,由于掩膜的存在,掩膜损坏造成缺陷的几率增加,从而限制了器件的分辨率。降低照明波长和增大所用透镜的数值孔径可提高分辨率。无掩模光刻技术包括电子束光刻技术和聚焦离子束光刻技术。在这种技术中,图案是以串...
深紫外光刻 深紫外光刻，采用反射光照射的非成像方式，用椭圆反射镜把波长在180～260纳米的深紫外光通过平管透镜聚集成平行光照射在掩模版上，使掩模版的图像复印到基片上的光刻技术。可用作亚微米级精细图形的加工方法。
紫外光刻的原理基于掩模光学系统。首先,制作一个由透明区域和不透明区域组成的掩模。透明区域对应于芯片的目标结构,而不透明区域则用于屏蔽掉不需要的光。然后,将掩模紧密地放置在光刻胶或光刻胶上,使得透明区域对准所需图案的位置。 接下来,将紫外光照射到掩模上。光通过透明区域传播到光刻胶或光刻胶上,使得该区...
EUV 光刻是以波长为 10-14nm 的极紫外光作为光源的芯片光刻技术,简单来说,就是以极紫外光作“刀”,对芯片上的晶圆进行雕刻,让芯片上的电路变成人们想要的图案。如今,世界上最先进的 EUV 光刻机可以做到的“雕刻精度”在 7nm 以下,比一根头发的万分之一还要细。华为自主研发设计的麒麟 990芯片,采用的就是 ...