磁畴壁迁移的阻力主要有: ① 不均匀的应力场。 不均匀的应力场表明磁介质内存在局部应力区,局部应力区必然与迁移经过该处的磁畴壁通过弹性应变产生能量上的交互作用,造成畴壁能随迁移位置变化而起伏的现象,如图所示。在迁移距离内(由a→b),这种作用有三种可能: A.应力区使畴壁能增加 畴壁经过该区域时因磁致...
磁畴壁是指两个相邻磁畴之间的分界线,可以沿一定方向移动。通过控制磁畴壁的移动,可以实现信息的写入和读取。 在磁畴壁存储中,通常使用具有垂直磁化方向的铁磁薄膜作为存储介质。通过在薄膜上施加一个磁场或电流脉冲,可以产生一个磁畴壁并使其移动。当磁畴壁移动到特定的位置时,可以通过测量该位置的磁化方向来读取存储...
铁磁体由于交换相互作用(铁磁性)、超交换相互作用(亚铁磁性),致使原子磁矩呈平行或反平行排列,这样就可能残留称为自发磁化强度的有效磁化成分(磁畴的成因),其三维区域称为磁畴,实际的磁畴都具有一定的几何尺寸大小,彼此为自发磁化强度大小和方向各异的区域,磁畴之间的边界称为磁畴壁。 铁磁体产生磁畴,实质是自发磁化平...
磁畴壁的运动能引发霍尔电阻发生动态变化。不同材料中的磁畴壁对霍尔电阻影响有差异。铁磁材料里磁畴壁对霍尔电阻作用较明显。磁畴壁的密度变化会直接关联到霍尔电阻改变。有序排列的磁畴壁对霍尔电阻影响有规律。随机分布磁畴壁会让霍尔电阻表现不稳定。磁畴壁的宽度不同对霍尔电阻影响程度不同。 窄磁畴壁和宽磁畴壁...
除拓扑磁畴本身的演变，在磁畴壁探索拓扑结构方面也取得了进展，众所周知，磁畴壁普遍存在于磁性材料中，是两个磁畴之间具有不同方向磁矩的过渡界面，根据自旋的旋转过渡方式可分为Bloch型和Néel型。尽管有理论研究表明磁畴壁斯格明子存在的可能性，但因畴壁尺寸较窄而鲜有磁畴壁进一步演变成拓扑磁性物态的实验报道。研...
磁畴壁的作用也差不多,虽然它们在微观世界里做着自己的事情,但也在影响着整体的磁性材料表现。而这些小小的变化,可能就像人类大脑里的一次神经传递,一不小心就能改变一整个系统的状态。简直就像是“脑袋”对世界的反应。你看看,磁畴壁的“脑袋”能力一点不差,挺聪明的。 二、磁畴壁类脑计算的奥秘 讲到这儿,你...
Néel磁畴壁是一种具有手性磁性的磁畴壁,存在于具有垂直方向各向异性磁性的铁石榴石薄膜中。这种畴壁可以由电流驱动,并且其移动速度超过800 m/s。Néel磁畴壁的稳定性和动力学特性可以通过磁性调控手段进行精细调控,例如使用离子辐照磁性精细调控系统Helium-S®对Pt/Co/AlOx...
磁畴壁的松弛指铁磁材料中磁畴壁在外磁场变化后逐渐调整到新平衡态的过程。例如,当外加磁场突然减弱,磁畴壁不会立刻停止运动,而是因材料内部缺陷、晶格畸变或热涨落影响,产生延迟响应。这种延迟可能持续微秒到小时,具体取决于材料性质和温度。磁畴壁蠕变则描述磁场长时间作用下磁畴壁持续缓慢移动的现象,类似于“爬行”...
进一步的,利用脉冲电流实现了可逆地切换磁畴壁组态,当畴壁数量下降到特定数值时,可以通过施加一个高电流密度的脉冲电流,利用瞬时热退磁实现畴壁数量及组态的复位。该项研究表明在Fe3GeTe2中可以通过全电方式可控和可逆地操纵畴壁数量和材料...