磁畴是铁磁体内自发磁化的小区域,各区域磁矩方向相同。磁畴壁是相邻磁畴间的过渡层。形成磁畴为降低退磁能等总能量。磁畴数目由材料尺寸、磁晶各向异性、退磁能等因素决定。 ①磁畴定义:铁磁材料内部自发划分为磁矩方向一致的微小区域,相邻磁畴磁矩方向不同,整体净磁化可能为零。②磁畴壁:磁畴间的边界区,磁矩方向逐步...
基于上述发现,团队提出了一种基于DWSKs的赛道存储器原型(如图3所示):磁畴壁作为“天然赛道”引导DWSKs的运动,正负拓扑荷分别代表数据位“1”和“0”,信息通过电流驱动传输。相较于传统方案,该设计无需复杂的外部场调控或冗余结构,极大降低...
铁磁体由于交换相互作用(铁磁性)、超交换相互作用(亚铁磁性),致使原子磁矩呈平行或反平行排列,这样就可能残留称为自发磁化强度的有效磁化成分(磁畴的成因),其三维区域称为磁畴,实际的磁畴都具有一定的几何尺寸大小,彼此为自发磁化强度大小和方向各异的区域,磁畴之间的边界称为磁畴壁。 铁磁体产生磁畴,实质是自发磁化平...
Néel磁畴壁是一种具有手性磁性的磁畴壁,存在于具有垂直方向各向异性磁性的铁石榴石薄膜中。这种畴壁可以由电流驱动,并且其移动速度超过800 m/s。Néel磁畴壁的稳定性和动力学特性可以通过磁性调控手段进行精细调控,例如使用离子辐照磁性精细调控系统Helium-S®对Pt/Co/AlOx...
磁畴壁是指两个相邻磁畴之间的分界线,可以沿一定方向移动。通过控制磁畴壁的移动,可以实现信息的写入和读取。 在磁畴壁存储中,通常使用具有垂直磁化方向的铁磁薄膜作为存储介质。通过在薄膜上施加一个磁场或电流脉冲,可以产生一个磁畴壁并使其移动。当磁畴壁移动到特定的位置时,可以通过测量该位置的磁化方向来读取存储...
磁畴壁的运动能引发霍尔电阻发生动态变化。不同材料中的磁畴壁对霍尔电阻影响有差异。铁磁材料里磁畴壁对霍尔电阻作用较明显。磁畴壁的密度变化会直接关联到霍尔电阻改变。有序排列的磁畴壁对霍尔电阻影响有规律。随机分布磁畴壁会让霍尔电阻表现不稳定。磁畴壁的宽度不同对霍尔电阻影响程度不同。 窄磁畴壁和宽磁畴壁...
磁畴壁迁移的阻力主要有: ① 不均匀的应力场。 不均匀的应力场表明磁介质内存在局部应力区,局部应力区必然与迁移经过该处的磁畴壁通过弹性应变产生能量上的交互作用,造成畴壁能随迁移位置变化而起伏的现象,如图所示。在迁移距离内(由a→b),这种作用有三种可能: A.应力区使畴壁能增加 畴壁经过该区域时因磁致...
P. Parkin院士团队设计了一种新型的电学检测系统,结合多个反常霍尔效应设备,能够在纳米级磁性轨道上实现高精度的磁畴壁检测。通过该系统,研究人员实现了对多个移动磁畴壁的电学跟踪,空间分辨率优于40纳米。这一进展不仅提供了对磁畴壁动态的深刻洞察,还展示了磁性轨道存储器作为超越传统二进制数字技术的非传统计算设备的...
我们提出的方案,总的来说是利用磁畴壁作为对象、畴壁的手性为媒介,以电控磁畴壁移动的方式完成精细的电控磁性。虽然这亦可归类于电控磁畴效应中,或者说效果是类似的,但这里的驱动机理和动力学却与传统电控磁性不同。 这一“小”工作之下具有普适性的启示也许...
磁畴壁的作用也差不多,虽然它们在微观世界里做着自己的事情,但也在影响着整体的磁性材料表现。而这些小小的变化,可能就像人类大脑里的一次神经传递,一不小心就能改变一整个系统的状态。简直就像是“脑袋”对世界的反应。你看看,磁畴壁的“脑袋”能力一点不差,挺聪明的。 二、磁畴壁类脑计算的奥秘 讲到这儿,你...