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科技日报华盛顿2月10日电 (记者刘海英)美国和意大利研究人员10日在《自然·电子》杂志上发表研究报告称,他们开发出一种基于反铁磁材料的新型磁存储器件,其体积很小,耗能也非常低,很可能有助于解决目前人工智能(AI)发展所遭遇的“内存瓶颈”。 AI技术的快速发展有望改善医疗保健、交通运输等多个领域,但其巨大潜力...
近日,清华大学联合德国慕尼黑工业大学、台湾国立清华大学研究团队,在磁存储器件的超快自旋动力学探测方面取得突破。研究团队采用时间分辨的磁光克尔探测技术,结合空间分辨的微磁学模拟,首次报道了自旋轨道矩(SOT)磁存储器件在百皮秒时间尺度下的信息写入过程和自旋动力学机制,并实现了器件超快的多值存储和交换偏置调控。...
专利摘要显示，提供了磁存储器件及其制造方法。磁存储器件包括：磁隧道结图案，设置在基板上并包括顺序地堆叠的自由层、隧道势垒层和被钉扎层；以及第一自旋轨道转矩(SOT)线，与磁隧道结图案的自由层的第一侧壁接触。本文源自：金融界 作者：情报员
近日,清华大学联合德国慕尼黑工业大学、台湾国立清华大学研究团队,在磁存储器件的超快自旋动力学探测方面取得突破。研究团队采用时间分辨的磁光克尔探测技术,结合空间分辨的微磁学模拟,首次报道了自旋轨道矩(SOT)磁存储器件在百皮秒时间尺度下的信息写入过程和自旋动力学机制,并实现了器件超快的多值存储和交换偏置调控。
三星取得用于制造磁存储器件的方法专利，该专利技术能实现在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层 金融界2024年4月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于制造磁存储器件的方法“，授权公告号CN111180577B，申请日期为2019年8月。专利摘要显示，一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上...
台积电取得磁存储器器件和集成系统芯片专利，提供基于所施加的偏压来导通和关闭电流的选择器层 金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“磁存储器器件和集成系统芯片“，授权公告号CN110970552B，申请日期为2019年9月。专利摘要显示，本发明涉及磁存储器器件。该磁...
摘要:磁存储器件可以包括:在基板上的磁隧道结图案;导线,在所述基板与所述磁隧道结图案之间延伸,并与所述磁隧道结图案的底表面接触;以及底部图案,位于所述导线与所述基板之间并与所述导线的底表面接触。导线的材料可以具有第一晶格常数,并且底部图案的材料可以具有小于导线的第一晶格常数的第二晶格常数。备选地或另...
Nat. Commun.,磁存储器件制备应用新视角! 低维 昂维 2024-05-15362 【研究背景】 手性是指磁矩螺旋有序的螺旋磁结构中的内在特征,它与磁螺旋的左右旋性相关联。然而,尽管手性在理论上很有潜力成为下一代磁存储器件中的重要自由度,但对其进行有效控制和应用却是一个具有挑战性的问题。磁性材料中的手性概念源自于...
自旋轨道矩(SOT)磁存储器件的时间分辨磁光探测 利用电子自旋作为信息载体的磁随机存储器(MRAM),在速度、耐久性、功耗等方面具有不可替代的优越性,被认为是最有前景的新型存储器之一。由于其兼具高速缓存的快速读写和外部存储的非易失性,有望通过“非冯诺依曼”的存内计算架构,解决制约计算系统性能的“存储墙”问题...