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科技日报华盛顿2月10日电 (记者刘海英)美国和意大利研究人员10日在《自然·电子》杂志上发表研究报告称,他们开发出一种基于反铁磁材料的新型磁存储器件,其体积很小,耗能也非常低,很可能有助于解决目前人工智能(AI)发展所遭遇的“内存瓶颈”。 AI技术的快速发展有望改善医疗保健、交通运输等多个领域,但其巨大潜力...
近日,清华大学联合德国慕尼黑工业大学、台湾国立清华大学研究团队,在磁存储器件的超快自旋动力学探测方面取得突破。研究团队采用时间分辨的磁光克尔探测技术,结合空间分辨的微磁学模拟,首次报道了自旋轨道矩(SOT)磁存储器件在百皮秒时间尺度下的信息写入过程和自旋动力学机制,并实现了器件超快的多值存储和交换偏置调控。...
该磁存储器器件包括：底部电极；选择器层，设置在底部电极上方；以及MTJ堆叠件，设置在选择器层上方，并且包括参考层和自由层，自由层设置在参考层上方并且通过隧道阻挡层与参考层分隔开。磁存储器器件还包括设置在MTJ堆叠件上方的调制层以及设置在开关阈值调制层上方的顶部电极。选择器层配置为基于所施加的偏压来导通和...
三星取得磁存储器件及其制造方法专利，提供了磁存储器件及其制造方法 金融界2024年2月28日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“磁存储器件及其制造方法“，授权公告号CN111223985B，申请日期为2019年11月。专利摘要显示，提供了磁存储器件及其制造方法。磁存储器件包括：磁隧道结图案，设置在基板上...
三星取得用于制造磁存储器件的方法专利，该专利技术能实现在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层 金融界2024年4月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于制造磁存储器件的方法“，授权公告号CN111180577B，申请日期为2019年8月。专利摘要显示，一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上...
近日,清华大学联合德国慕尼黑工业大学、台湾国立清华大学研究团队,在磁存储器件的超快自旋动力学探测方面取得突破。研究团队采用时间分辨的磁光克尔探测技术,结合空间分辨的微磁学模拟,首次报道了自旋轨道矩(SOT)磁存储器件在百皮秒时间尺度下的信息写入过程和自旋动力学机制,并实现了器件超快的多值存储和交换偏置调控。
专利摘要显示，一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道...
新型磁存储器件有望解决AI“内存瓶颈”科技日报华盛顿2月10日电 （记者刘海英）美国和意大利研究人员10日在《自然·电子》杂志上发表研究报告称，他们开发出一种基于反铁磁材料的新型磁存储器件，其体积很小，耗能也非常低，很可能有助于解决目前人工智能（AI）发展所遭遇的“内存瓶颈”。AI技术的快速发展有望改善...
自旋轨道矩(SOT)磁存储器件的时间分辨磁光探测 利用电子自旋作为信息载体的磁随机存储器(MRAM),在速度、耐久性、功耗等方面具有不可替代的优越性,被认为是最有前景的新型存储器之一。由于其兼具高速缓存的快速读写和外部存储的非易失性,有望通过“非冯诺依曼”的存内计算架构,解决制约计算系统性能的“存储墙”问题...