[0004]针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种具有深沟槽的碳化硅超结SBD器件元胞结构,其通过在碳化硅SBD器件元胞中结合深沟槽结构和与其相连P Plus结构,构造出一种新颖的超结器件,能避免传统超结结构的深注入或多次外延工艺的难度,进一步增强SBD器件的耐压能力,可靠性和抗干扰能力。 [0005]为实现上述目...
摘要 本实用新型公开了一种侧墙肖特基接触的碳化硅沟槽SBD器件元胞结构,所述元胞结构的沟槽底部及顶部凸起块的上部设置有离子注入形成的P型层,在沟槽的侧面淀积了金属并形成侧面的肖特基接触,即侧墙肖特基接触,所述侧墙肖特基接触的外围包裹了阳极金属层。本申请中P型区将侧墙的肖特基区包裹屏蔽住,实现肖特基区表面电...
尤其值得一提的是,萨科微slkor( 链接碳化硅SiC SBD二极管、MOSFET管、IGBT管和金航标公司kinghelm( 链接波天线连接器接插件等等一系列高端产品,这些产品适用于高端装备制造、通信电力、太阳能光伏、医疗设备、工业互联网、新能源汽车等诸多关键行业,充分体现了萨科微在半导体领域的领先地位。在全球供应链重构和全球化进程...
36、1、本发明一种集成sbd结构的碳化硅超结及其制备方法,相比于传统的硅基超结结构,本发明进行了独特设计,可以满足低特征导通电阻、高反向耐压的特性;同时集成了肖特基二极管(sbd)结构,能够成功改善传统的硅基超结结构存在的体二极管正向导通差问题。 37、2、本发明一种集成sbd结构的碳化硅超结及其制备方法,填充柱和...
例如,有从业者提出的专利申请(专利号CN1605124A)中,制作大电流的碳化硅SBD/JBS器件过程中隔离坏元件的方法是通过淀积绝缘层5后选择性地开口而选择性地并联好的元件3,如图1和图2所示。其中,好元件和坏元件是通过电测试的方法进行区分,区分后实例图如图3所示。其具体的步骤是:(1)制造具有暴露出的用于测试的第一...
6.本实用新型的目的在于提供一种侧墙肖特基接触的碳化硅沟槽sbd器件元胞结构,该元胞结构的p型区将侧墙的肖特基区包裹屏蔽住,实现肖特基区表面电场的减弱与屏蔽;而沟槽的底部表面及顶部凸起块的顶部表面处p型层具有表面高浓度分布,与阳极金属间形成欧姆接触,以增强器件的抗浪涌电流能力。
1.一种碳化硅深沟槽超结SBD器件, 包括1个或多个元胞结构; 其特征在于, 所述元胞结构的N-外延层中设置有若干个深沟槽, 所述深沟槽的深度为t1, 所述N-外延层的厚度为T=t1+t2, 其中, t1大于t2; 深沟槽的侧壁及底部为由注入或二次外延工艺构造的一圈P +, 在深沟槽的底部填入的一定深度t3的High-K介质...
本实用新型公开了一种碳化硅深沟槽超结SBD器件,所述器件的N‑外延层中设置有若干个深沟槽,深沟槽的侧壁及底部注入或二次外延工艺构造一圈PPlus,然后在深沟槽的底部填入High‑K介质或SiO2,然后上部的其余部分中填入P型掺杂的多晶硅或金属,并与肖特基区的肖特基接触金属相连,填充的金属部分与侧壁也构成肖特基接触。
1.一种碳化硅深沟槽超结SBD器件, 包括1个或多个元胞结构; 其特征在于, 所述元胞结构的N-外延层中设置有若干个深沟槽, 所述深沟槽的深度为t1, 所述N-外延层的厚度为T=t1+t2, 其中, t1大于t2; 深沟槽的侧壁及底部为由注入或二次外延工艺构造的一圈P +, 在深沟槽的底部填入的一定深度t3的High-K介质...