碳化硅、氮化镓和氮化硅这三种半导体材料因其不同的特性,可应用于不同领域。碳化硅主要应用于功率电子器件、照明和太阳能电池等。氮化镓主要应用于高频功率电子器件、发光二极管和蓝紫色激光器等。氮化硅则广泛应用于防水、防尘、防火和远距离读写等高性能射频器件中。...
氮化镓和碳化硅材料更大的禁带宽度,更高的临界场强使得基于这两种材料制作的功率半导体具有高耐压,低导通电阻,寄生参数小等优异特性。当应用于开关电源领域中,具有损耗小,工作频率高,可靠性高等优点,可以大大提升开关电源的效率,功率密度和可靠性等性能。 图1:硅、碳化硅,氮化镓三种材料关键特性对比 由于具有以上优异的...
近年来,作为硅的替代材料,SiC和氮化镓(GaN)在形式上已经成为可行选择。这两种宽禁带器件具有使功率转换效率显著提高的特性。这些宽禁带器件并不是对Si的简单替代品,应用电路设计必须匹配以提取出全部性能优势。(图1显示了这些材料之间的主要差异。) Si、SiC和GaN – 传导损耗 Si-IGBT的基本上恒定的导通状态集电极-发...
对比之下，SiC塑封半桥模块式则更灵活，配合银烧结、塑封转模等关键技术，不仅可实现更均匀的电流密度分布...
现在的主流充电器里,基本上都要用到可以扛住高温高压的氮化镓。 镓说完了,该说说锗了。 锗的特性比镓更特殊,也就让它的应用范围比硅材料更广阔。 锗是一种很神奇的金属,它不仅有半导体的特性,还有光学特性、化工特性乃至生物活性。可见光和紫外线无法穿过锗材料,但红外线却能透过锗——这就让锗材料成为了光电...
但是SiC MOSFET还有其他一些在功率转换拓扑中非常关键的特性：相比同等电压等级和导通电阻的产品，它具有...
从电化学性质差异来看,碳化硅衬底材料可以分为导电型衬底(电阻率区15~30mΩ·cm)和半绝缘型衬底(电阻率高于105Ω·cm)。这两类衬底经外延生长后分别用于制造功率器件、射频器件等分立器件。其中,半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件、光电器件等。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基...
硅基MOSFET、碳化硅(SiC)MOSFET、氮化镓(GaN)HEMT或碳化硅(SiC)FET等功率电子器件是用于众多市场领域的主要技术构件。长期以来,硅一直是功率电子应用中的首选半导体材料。直到最近,由于SiC技术性能和可靠性的显著提升,人们开始从硅转向SiC器件。 SiC的性能优势已在电动车、白色家电、基础设施、太阳能/可再生能源、数据中...
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身 QWE4562009 2021-09-23 15:02:11 碳化硅深层的特性 碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等...