砷化镓(GaAs)的晶胞结构如图甲所示。将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是 A. 图甲中,Ga位于As原子构成的正四面体空隙中 B. 图甲中,Ga-As的键长为 a pm,则晶胞边长为 C. 基态As原子的价电子排布式4s24p3 D. 稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为1∶2 ...
砷化镓属于锗化锌晶体结构。 一、砷化镓晶体结构 砷化镓是一种半导体材料,具有广泛的应用领域,如光电子学、微电子学和太阳能电池等。砷化镓的晶体结构是锗化锌晶体结构,也叫闪锌矿结构。锗化锌晶体结构是一种立方紧密堆积结构,其中每个元素原子都被12个相邻原子包围,形成一个立方体单元,每个原子...
百度试题 题目砷化镓的晶体结构是: A.纤锌矿型B.金刚石型C.闪锌矿型D.石榴石型相关知识点: 试题来源: 解析 C 反馈 收藏
砷化镓晶体属于立方晶系,其晶胞结构如图甲所示,将原子掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料的结构如图乙所示,砷化镓的晶胞参数为。阿伏加德罗常数的值为。下列说法正确的是A. 图乙
砷化镓晶胞结构如图甲所示,晶胞参数为apm,将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料如图乙所示。下列说法错误的是A. 甲中Ga和As的最近距离是B. 甲中A原子的分数坐标为
1. 砷化镓（GaAs）是一种属于III-V族的半导体材料。2. 其晶体结构采用闪锌矿型（Zinc Blende structure）。3. 在闪锌矿型结构中，每个镓原子被四个砷原子所包围，形成四面体结构。4. 相应地，每个砷原子也被四个镓原子所包围，也形成四面体结构。5. 这种构造导致砷化镓晶体中的原子之间形成共价键。6....
1. 晶体结构类型:砷化镓的晶体结构属于立方晶系,具体来说是面心立方(FCC)结构。这意味着晶体中的原子在立方晶格的顶点和面心位置上排列。 2. 晶格常数:砷化镓的晶格常数是基于晶体的结构参数。对于砷化镓晶体,其晶格常数为a = 5.6535 Å,表示晶格参数的长度单位。 3. 原子排列:在砷化镓晶体中,镓原子(Ga)和砷原...
砷化镓(GaAs)是一种立方晶系的晶体,其晶胞结构如图甲所示。将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其晶胞结构如图乙所示。砷化镓的晶胞参数为xpm。下列说法错误的是A.
砷化镓是立方晶系闪锌矿型结晶结构。闪锌矿型结构，又称立方硫化锌型结构。属立方晶系，为面心立方点阵。属等轴晶系。晶体结构中B原子呈立方密堆积，A原子填充在B原子构成的四面体空隙中。A、B原子的配位数均为4。A、B原子间为共价键联系。