砷化镓(GaAs)的晶胞结构如图甲所示。将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是 A. 图甲中,Ga位于As原子构成的正四面体空隙中 B. 图甲中,Ga-As的键长为 a pm,则晶胞边长为 C. 基态As原子的价电子排布式4s24p3 D. 稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为1∶2 ...
砷化镓晶体属于立方晶系,其晶胞结构如图甲所示,将原子掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料的结构如图乙所示,砷化镓的晶胞参数为。阿伏加德罗常数的值为。下列说法正确的是A. 图乙
【题目】砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。GaAs的熔点为1238℃,其晶胞结构如下图所示,该晶体的类型为_,GaAs以__键结合。 相关知识点: 试题来源: 解析 【解析】答案:原子晶体;共价。GaAs的熔点为1238℃,熔点较高,以共价键结合形成属于原子晶体。
砷化镓（GaAs）是一种半导体材料，其晶体结构属于闪锌矿型，晶格常数为5.65×10^-10米，熔点达到1237摄氏度，具有1.4电子伏的禁带宽度。这种材料呈黑灰色固体，熔点为1238摄氏度。在600摄氏度以下的温度下，砷化镓能在空气中稳定存在，并且不会被非氧化性酸侵蚀。由于砷化镓晶体的稳定性，即使人体吸收了...
砷化镓(GaAs)的晶胞结构如图甲所示。将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是A.图甲中,Ga位于As原子构成的正四面体空隙中B.图甲中,G-e卷通组卷网
（1）硅的原子数序为14，根据能量最低原理可知电子排布式为1s22s22p63s23p2，故答案为：1s22s22p63s23p2；（2）C60有固定的组成，不属于空间网状结构，熔沸点远低于金刚石等原子晶体的熔沸点，应为分子晶体，故答案为：分子；（3）根据图乙晶体硅的结构可知，其最小的环为六元环判断二氧化硅的空间...
砷化镓晶体结构图中镓原子距离砷原子所在六面体的侧面的最短距离为什么是0.25
A.砷化镓的化学式为GaAsB.图乙为该晶胞沿z轴投影图 C.c点原子的分数坐标为 D.As原子间最短距离是 23-24高二下·广东佛山·期末查看更多[1] 更新时间:2024/07/10 08:00:28 【知识点】根据晶胞结构确定晶体化学式解读常见共价晶体的结构 抱歉! 您未登录, 不能查看答案和解析点击登录...
(1)在硼酸B(OH)3分子中,B原子与3个羟基相连,其晶体为层状结构。则分子中B原子杂化轨道的类型为,同层分子间的主要作用为。 (2)氯化铝在气态中常以二聚分子Al2Cl6形式存在,在Al2Cl6分子中存在的化学键的类型有、。 (3)砷化镓属于第三代半导体,它能直接将电能转化为光能,其晶胞结构如右图所示。
从结构上分析Fe3+比Fe2+稳定的原因:___。 (2)SCN-常用来检测Fe3+的存在,SCN-中心原子的杂化方式为___,三种元素电负性由大到小的顺序为___。 (3)砷化镓以第三代半导体著称,熔点为1230℃,具有空间网状结构。已知氮化硼与砷化镓属于同种晶体类型。则两种晶体熔点较高的是___(填化学式),其理由是___。 (...