砷化镓,砷化镓(gallium arsenide),化学式 GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子
砷化镓(Gallium Arsenide,简称GaAs)是一种重要的半导体材料,具有优异的电子性能和光电性能,在半导体领域发挥着重要作用。砷化镓材料因其高电子迁移率、高饱和漂移速度、较宽的能隙以及优秀的光电特性而备受关注。 1.基本属性 化学组成:砷化镓由镓原子(Ga)和砷原子(As)组成。 晶体结构:砷化镓为锗式晶体结构,属于III-V...
根据Yole 预测,Mini LED 及 Micro LED 器件砷化镓衬底的需求增长迅速,2025年全球 Mini LED 及 Micro LED 器件砷化镓衬底(折合二英寸)市场销量将从 2019年的 207.90 万片增长至 613.80 万片,年复合增长率为 19.77%;2019 年全球 Mini LED及 Micro LED 器件砷化镓衬底市场规模约为 1,700 万美元,预计到 2025 年...
砷化镓材料的制备 与硅相仿,砷化镓材料也可分为体单晶和外延材料两类。体单晶可以用作外延的衬底材料,也可以采用离子注入掺杂工艺直接制造集成电路(采用高质量、大截面、半绝缘砷化镓单晶)。重点是液封直拉法(即液封乔赫拉斯基法,简称LEC法),但水平舟生长法(即水平布里其曼法)因制出的单晶质量和均匀性较好,仍然受到...
砷化镓 IUPAC名 Gallium arsenide 识别 CAS号 1303-00-0 ? SMILES Ga#As 性质 化学式 GaAs 摩尔质量 144.645 g·mol⁻¹ 外观 灰色立方晶体 密度 5.316 g/cm3[1] 熔点 1238 °C (1511 K) 溶解性(水) < 0.1 g/100 ml (20 °C) 能隙 1.424 eV300 K 电子迁移率 8500 cm2/(V*s) (300 K...
FLM6472-12F 6.4-7.2GHZ 大功率砷化镓 专营高频器件 深圳市新亚洲电子市场腾达电子经营部10年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥280.00 FLL300IL-3 专营高频管 高频模块 大量现货 深圳市新亚洲电子市场腾达电子经营部10年 月均发货速度:暂无记录 ...
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砷化镓是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。砷化镓存储器是指采用砷化镓半导体存储器件和外围电路组成的高速存储器。按照其存储方式分为高速随机存储器与快速串行电荷耦合存储器两种类型。简介 存储器是一种利用...
砷化镓集成电路（gallium arsenide integrated circuit，GaAsIC），是指用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。砷化镓集成电路包括了砷化镓超高速集成电路(VHsIC)、微波单片集成电路(MMIC)和光电集成电路(OEIC)。GaAsIC主要指以GaAs半导体材料为主所制作的集成电路，其有源器件主要是金属肖特基场效应晶体管(MESFET)和结...